供应上海市河南优良三社二极管模块***选择厂家上海萱鸿电子科技供应

二极管又叫半导体二极管、晶体二极管，是**常用的基本电子元件之一。二极管只往一个方向传送电流，由p型半导体和n型半导体形成的p-n结构成，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

 作用：

（1）、整流二极管：利用二极管单向导电特性，可以把方向交替变化的交流电转变成单一方向的脉动直流电

（2）、稳压二极管：反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。

（3）、限幅元件：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

（4）、显示元件：作为发光管用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

（5）、检波二极管：在各种收音装置中起检波作用。

（6）、继流二极管：在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

（7）、变容二极管：使用于电视机的高频头中起变容作用。

特性举例:

 1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，当正向电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。

 2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

 3、反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

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