供应上海市广东优良三社二极管模块质量推荐报价上海萱鸿电子科技供应

结构：

 二极管有点接触型和面接触型两种结构形式

 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图 2.7所示。由于点接触型二极管金属丝很细， 形成的PN结面积很小， 所以，也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件， 也可用来作小电流整流。 如2APl是点接触型锗二极管， 比较大整流电流为16mA， 比较高工作频率为15OMHz。

 面接触型或称面结型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频电路中。如2CPl为面接触型硅二极管，比较大整流电流为40OmA， 比较高工作频率只有3kHz。

特性举例:

 1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，当正向电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。

 2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

 3、反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

【上海萱鸿电子科技有限公司】

上海萱鸿电子科技有限公司，专业的IGBT以及配套驱动专业网上供应商,公司自成立以来就一直推广IGBT以配套驱动，传咸器产品.公司和国际半导体企业：德国Infineon、Semikron、瑞士Concept,以及日本Fuji、Mitsubishi等国际**品牌有着良好的合作关系。经过公司努力发展已成为国内外专业化、规模化的半导体产品供应商。客户群体不断扩展，产品主要应用在：变频器、逆变焊机、高频感应加热、UPS电源、逆变电源、商用电磁炉等领域。公司建立了自己的库房用以储备足够的现货库存，旨在为客户提供**快捷的供货渠道。我们公司本着诚信至上，客户至上，合作至上，服务至上，质量至上的理念，得到了众多合作客户的信任与好评。