熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成，其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金，其熔点低容易熔断，由于其电阻率较大，故制成熔体的截面尺寸较大，熔断时产生的金属蒸气较多，只适用于低分断能力的熔断器。高熔点材料如铜、银，其熔点高，不容易熔断，但由于其电阻率较低，可制成比低熔点熔体较小的截面尺寸，熔断时产生的金属蒸气少，适用于高分断能力的熔断器。熔体的形状分为丝状和带状两种。改变变截面的形状可改变熔断器的熔断特性。熔断器有各种不同的熔断特性曲线，可以适用于不同类型保护对象的需要。安秒特性：熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断熔断器（图6）时间短。对安秒特性的理解，我们从焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T，串联回路里，熔断器的R值基本不变，发热量与电流I的平方成正比，与发热时间T成正比，也就是说：当电流较大时，熔体熔断所需的时间就较短。而电流较小时。
氯碱行业不常用该配置。2快速熔断器的选用也称电压电流法。线路变流变压器的线电压应低于快速熔断器的额定电压。经电力半导体器件与快速熔断器串联短路实验验证，以半导体额定电流乘以系数，做为所选用的快速熔断器的额定电流。因快速熔断器的额定电流是有效值，而半导体器件的额定电流是平均值，针对上述一类配置方案，对一代产品RS0、RS3系列（我国快速熔断器的发展史可分为4个阶段，一代是全国联合设计的RS0、RS3系列，参数为480A、750V以下，分断能力为50kA，是一种体积较大、价格低廉、电寿命短的初级产品，目前尚有相当装机量）而言，该系数可按整流管为、晶体管、快速晶体管为1来选配，如ZP1000配1400A快速熔断器。针对上述第二类配置方案，则可依据阀电流Iv以及变流装置的负载特性选择快速熔断器，再按整流器可能产生的大故障电流，来选择有足够分断能力的快速熔断器，如50kA或100kA，其中50kA为合格品，100kA为一级品。3快速熔断器的应用特性电流通过能力快速熔断器的额定电流是以有效值表示的，一般正常通过电流为标称额定电流的30%～70%。快速熔断器使用时或其一端被半导体器件加热而另一端被水冷母排冷却，或双面都被水冷母排冷却。
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