
MOS管,只要是电子相关专业的,只要是硬件工程师,都会学过:书上说,MOS管的主要作用是放大。不过实际在智能硬件产品开发和物联网产品开发中,几乎没有用到放大用的MOS管,绝大部分是用来做开关的。偶尔有些放大作用的MOS管,也是集成在芯片里面的。可以毫不夸张的讲,只要不是做IC设计的,几乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出来的MOS放大电路,性能不可能有专业芯片公司做的好的。本文主要讲MOS管在常用的数字电路板上的用法。至于MOS管G、S、D三个端口、N-MOS、P-MOS这样的基础知识,我们就不赘述了,需要的读者请自行翻书查资料吧。用作开关的时候,不管是N-MOS还是P-MOS,记住一句话即可:VGS有电压差,MOS管就导通。VGS没有电压差,MOS管就关闭。MOS管常见的主要用途有以下几种负极开关(N-MOS):设备控制LED灯控制电路马达控制电路N-MOS广泛应用于设备通断的控制。例如上图的LED灯控制和电动马达的控制。GPIO口拉高,MOS管就导通,LED灯亮、马达转动。GPIO拉低,MOS管就关闭,LED灯灭,马达就停止转动。在普通的低电压数字电路上,这种控制方式对MOS管本身没有什么特定高要求,随便抓一个N-MOS也可以用。NPN的三极管也可以用。正极开关。
4:大电流布线尽量采用粗、短的布局结构,尽量减少布线寄生电感。5:选择合理的栅极电阻Rg。6:在大功率电源中,可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。SOA失效(电流失效)再简单说下第二点,SOA失效SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面,造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累,持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。1:受限于大额定电流及脉冲电流2:限于大节温下的RDSON。3:受限于器件大的耗散功率。4:受限于大单个脉冲电流。5:击穿电压BVDSS限制区我们电源上的MOSFET,只要保证能器件处于上面限制区的范围内,就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。。1:确保在差条件下,MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2:将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时,一般可能会取,然后就根据IC的保护电压比如。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数,那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影响呢。
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