333V，400V，因而有了以下计算方法：265V×3≈800V333V×3≈1000V400V×3≈1200V12.可控硅工作条件（1）从关断到导通a.阳极电位高于阴极电位b.控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。(2)维持导通a.阳极电位高于阴极电位，b.阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。(3)从导通到关断a.阳极电位低于阴极电位。b.阳极电流小于维持电流，任一条件即可。13.双向可控硅的触发特性双向可控硅TRIAC为三端元件，其三端分别为T1(第二端子或第二阳极)，T2(一端子或一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，无论于正向或反向电压时皆可导通。因为它是双向元件，所以不管T1,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1,T2间呈导通状态；反之，无加闸极触发信号，则T1,T2间有极高的阻抗。由于TRIAC为控制极控制的双向可控硅,控制极电压VG极性与阳极间之电压VT1T2四种组合分别如下：(1).VT1T2为正,VG为正。(2).VT1T2为正,VG为负。(3).VT1T2为负,VG为正。(4).VT1T2为负,VG为负。一般使用在对称情况下(1与4或2与3)，以使正负半周能得到对称的结果，方便的控制方法则为1与4之控制状态，因为控制极信号与VT1T2同极性。14.双向可控硅的相位控制TRIAC的相位控制与SCR很类似。
第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何。
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