吉林定制Mitsubishi三菱IGBT模块销售厂 江苏芯钻时代电子科技供应

    在高频应用（超过5kHz）时，这种损耗应尽量避免。另外。驱动器本身的损耗也必须考虑。如果驱动器本身损耗过大，会引起驱动器过热，致使其损坏。当M57962L被用在驱动大容量的IGBT时，它的慢关断将会增大损耗。引起这种现象的原因是通过IGBT的Gres（反向传输电容）流到M57962L栅极的电流不能被驱动器吸收。它的阻抗不是足够低，这种慢关断时间将变得更慢和要求更大的缓冲电容器应用M57962L设计的驱动电路如下图。电路说明：电源去耦电容C2～C7采用铝电解电容器，容量为100uF／50V，R1阻值取1kΩ，R2阻值取Ω，R3取kΩ，电源采用正负l5V电源模块分别接到M57962L的4脚与6脚，逻辑控制信号IN经l3脚输入驱动器M57962L。双向稳压管Z1选择为V，Z2为18V，Z3为30V，防止IGBT的栅极、发射极击穿而损坏驱动电路，二极管采用快恢复的FR107管。IGBT模块接线注意事项：1）栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，IGBT在包装时将G极和E极之问有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触G极，直到G极管脚进行性连接后，方可将G极和E极之间的短接线拆除。2）在大功率的逆变器中，上桥臂的开关管要采用各自的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用各自的隔离电源。

    脉冲的幅值与栅驱动电路阻抗和dV/dt的实际数值有直接关系。IGBT本身的设计对减小C和C的比例非常重要，它可因此减小dV/dt感生电压幅值。如果dV/dt感生电压峰值超过IGBT的阀值，Q1产生集电极电流并产生很大的损耗，因为此时集电极到发射极的电压很高。为了减小dV/dt感生电流和防止器件开通，可采取以下措施：关断时采用栅极负偏置，可防止电压峰值超过V，但问题是驱动电路会更复杂。减小IGBT的CGC寄生电容和多晶硅电阻Rg’。减小本征JFET的影响图3给出了为反向偏置关断而设计的典型IGBT电容曲线。CRES曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到V接近15V，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau)特性，C的实际值就可以进一步减小。这种现象是由IGBT内部的本征JFET引起的。如果JFET的影响可小化，C和C可随着VCE的提高而很快下降。这可能减小实际的CRES，即减小dV/dt感生开通对IGBT的影响。图3需负偏置关断的典型IGBT的寄生电容与V的关系。IRGP30B120KD-E是一个备较小C和经改良JFET的典型IGBT。这是一个1200V，30ANPTIGBT。它是一个Co-Pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于TO-247封装。设计人员可减小多晶体栅极宽度。

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