
晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大,且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。2.晶闸管加上正向阳极电压后,还必须加上触发电压,并产生足够的触发电流,才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时,管子不会导通,但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态,没有中间状态,具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。3.晶闸管一旦触发导通,门极完全失去控制作用。要关断晶闸管,必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)4.通态平均电压UT(AV)即管压降5.维持电流IH与掣住电流IL6.开通与关断时间晶闸管合格证基本参数IT(AV)=A。
墓他3组上桥臂的控制信号输入电路与图2相同,但3组15V直流电源应分别供电,而下桥臂的4组则共用一个15V直流电源。图2控制信号输入电路(2)缓冲电路缓冲电路(阻容吸收电路)主要用于抑制模块内部的IGBT单元的过电压和du/出或者过电流和di/dt,同时减小IGBT的开关损耗。由于缓冲电路所需的电阻、电容的功率、体积都较大,所以在IGBT模块内部并没有专门集成该部分电路,因此,在实际的系统中一定要设计缓冲电路,通过缓冲电路的电容可把过电压的电磁能量变成静电能量储存起来。缓冲电路的电阻可防止电容与电感产生谐振。如果没有缓冲电路,器件在开通时电流会迅速上升,di/dt也很大,关断时du/dt很大,并会出现很高的过电压,极易造成模块内部IGBT器件损坏。图3给出了一个典型的缓冲电路;有关阻值与电容大小的设计可根据具体系统来设定不同的参数。
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