
空穴收集区8可以处于与一发射极单元金属2隔离的任何位置,特别的,在终端保护区域的p+场限环也可以成为空穴收集区8,本发明实施例对此不作限制说明。因此,本发明实施例提供的igbt芯片在电流检测过程中,通过检测电阻上产生的电压,得到工作区域的电流大小。但是,在实际检测过程中,检测电阻上的电压同时抬高了电流检测区域的mos沟槽沟道对地电位,即相当降低了电流检测区域的栅极电压,从而使电流检测区域的mos的沟道电阻增加。当电流检测区域的电流越大时,电流检测区域的mos的沟道电阻就越大,从而使检测电压在工作区域的电流越大,导致电流检测区域的电流与工作区域电流的比例关系偏离增大,产生大电流下的信号失真,造成工作区域在大电流或异常过流的检测精度低。而本发明实施例中电流检测区域的第二发射极单元相当于没有公共栅极单元提供驱动,即对于igbt芯片的电子和空穴两种载流子形成的电流,电流检测区域的第二发射极单元只获取空穴形成的电流作为检测电流,从而避免了检测电流受公共栅极单元的电压的影响,以及测试电压的影响而产生信号的失真,即避免了公共栅极单元因对地电位变化造成的偏差,从而提高了检测电流的精度。实施例二:在上述实施例的基础上。
从而使电源侧的电流波形与电压波形一致。图4中,驱动单元及链接与图3相同,主接线端P、N接有源电力滤波器直流侧大电容C,U、V、W为有源电力滤波器的交流侧输出端,通过电感L与电网相并联,起补偿谐波电流的作用。图4应用电路2(有源电力滤波器)5应用中的注意事项(1)主电源电压范围:600V系列400V以下,1200V系列800V以下,主电源过呀保护的动作电压分别按450V、900V整定。由于开关时的di/dt在IPM内部布线的电感上会产生浪涌电压,为将浪涌电压抑制在大值(600V系列500V,1200V系列1000V)以内,可在靠近P、N端子处安装浪涌吸收器。(2)控制电源Vcc电压范围:15V±10%,制作控制电源时,应尽量降低纹波电压,还要使电源的附加噪声降到小。可在控制电源输出端接10pF及,保持电源平稳,修正线路阻抗。(3)虽然IPM内部已对外部噪声采取了相应的措施,但由于噪声的种类及强度不同,也不可能完全避免发生误动作或损坏IGBT,因此,对加于IPM的噪声,应采取足够的防范措施,如对Ac进线加噪声滤波器,加装绝缘接地;在每相的输入信号与地(GND)间加1000pF的吸收电容(4)过流保护及短路保护功能是以检测到的IGBT集电极电流而动作的,但并不检测续流二极管的阳极电流。
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