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广州材料刻蚀技术 广东省科学院半导体研究所供应

上传时间:2026-03-18 浏览次数:
文章摘要:对于透明基片的双面光刻加工,其准标记可灵活设计,沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的,该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的,该区域设计的对准标记可以设计成十字型或

对于透明基片的双面光刻加工,其准标记可灵活设计,沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的,该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的,该区域设计的对准标记可以设计成十字型或方框。不管是十字型还是方框型,都是参照内部的边和角进行精确对准。综合考虑到物距不一成像大小不同的因素,两块掩模板的对准标记也可以设计成大小不一的,以掩模板和基片标记成像方便观测对准为原则。双面光刻调制盘作为光路一部分用于约束光束,加工完成后,要用不透明的涂料涂覆标记图案及搜索线即可,即便没有搜索线,由于小方框对准标记是透光的,也不免要用涂料涂覆,涂料对于测量狭缝和机械装配公差配合没有影响。双面镀膜光刻是针对硅及其它半导体基片发展起来的加工技术。广州材料刻蚀技术

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铝(Aluminium)是一种银白色轻金属,密度为2.70g/cm3。熔点660℃。易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液,难溶于水。在常温下能形成一层防止金属腐蚀的氧化膜。铝的湿法刻蚀溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液,其中,磷酸为主腐蚀液,硝酸为氧化剂、催化剂,醋酸作缓冲剂、活性剂,改善表面压力;腐蚀液温度越高,腐蚀速率越快。光刻工艺使用的光源为紫外全谱,之后慢慢发展到使用G线和I线紫外光作为光源。在G线和I线光刻工艺中,光刻胶的基体材料主要为酚醛树脂,其由对甲酚、间甲酚与甲醛缩合得到,采用的感光化合物为重氮萘醌化合物。其曝光显影机理主要为:(1)在未曝光区,重氮萘醌与光刻胶基体酚醛树脂会形成分子间氢键、静电相互作用等,从而起到抑制溶解的作用;(2)在曝光区,重氮萘醌在光照条件下分解生成羧酸,进而易与碱性的TMAH显影液发反应,起到促进光刻胶溶解的作用。TMAH溶液相较于氢氧化钾水溶液等碱性溶液,其不含金属离子,在先进制程中可以减小因金属离子带来的缺陷问题。广州材料刻蚀厂商光刻过程中需避免光线的衍射和散射。

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湿法腐蚀是利用腐蚀液和基片之间的化学反应。采用这种方法,虽然各向异性刻蚀并非不可能,但比各向同性刻蚀要困难得多。溶液和材料的组合有很多限制,必须严格控制基板温度、溶液浓度、添加量等条件。无论条件调整得多么精细,湿法蚀刻都难以实现1μm以下的精细加工。其原因之一是需要控制侧面蚀刻。侧蚀是一种也称为底切的现象。即使希望通过湿式蚀刻在垂直方向(深度方向)溶解材料,也不可能完全防止溶液腐蚀侧面,因此材料在平行方向的溶解将不可避免地进行。由于这种现象,湿蚀刻随机产生比目标宽度窄的部分。这样,在加工需要精密电流控制的产品时,再现性低,精度不可靠。

视频图像处理对准技术,是指在光刻套刻的过程中,掩模图样与硅片基板之间基本上只存在相对旋转和平移,充分利用这一有利条件,结合机器视觉映射技术,利用相机采集掩模图样与硅片基板的对位标记信号。此种方法看上去虽然与双目显微镜对准有些类似,但是实质其实有所不同。场像处理对准技术是通过CCDS摄像对两个对位标记图像进行采集、滤波、特征提取等处理,通过图像处理单元进行精确定位和匹配参数计算,求得掩模图样与硅片基板之间的相对旋转和平移量,然后进行相位补偿和平移量补偿,自动完成对准的过程。其光源一般是宽带的卤素灯,波长在550~800nm。相对于其他的对准方式其具有对准精度高、结构简单、可操作性强、效率高的优势。其对准精度误差主要来自于图像处理过程。因此,选择合适的图像处理算法显得尤为重要。光刻工艺中的干湿法清洗各有优劣。

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光刻(Photolithography)是一种图形转移的方法,在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念,其实它是有多步工序所组成的。1.清洗:清洗衬底表面的有机物。2.旋涂:将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准,在紫外光下曝光一定的时间。4.显影:将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间,受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘,以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。下一代光刻技术将探索更多光源类型和图案化方法。广州Si材料刻蚀

光刻技术对于提升芯片速度、降低功耗具有关键作用。广州材料刻蚀技术

光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板,其中玻璃基板又包含石英玻璃,硅硼玻璃,苏打玻璃等,石英玻璃硬度高,热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域;按光学掩膜版的遮光材料可分为乳胶遮光模和硬质遮光膜,硬质遮光膜又细分为铬,硅,硅化钼,氧化铁等。在半导体领域,铬-石英版因其性能稳定,耐用性,精度高等在该领域被广泛应用。我国的光学掩膜版制作始于20世纪60年代,当时基板主要进口日本“樱花”玻璃及美国柯达玻璃。1978年,我国大连玻璃厂当时实现制版玻璃的产业化,成品率10%左右。80年代后期,基板主要采用平拉玻璃。到90年代,浮法玻璃技术技术较为成熟,开始使用浮法玻璃作为基板,2005年使用超白浮法玻璃作为基板。2010年以后,光掩模基板石英玻璃开始投产,其质量能基本满足IC产业光掩模版基板的高精度需求。随着市场对大直径硅片的需求,大尺寸玻璃基板也同时趋向于大型化,对光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。广州材料刻蚀技术

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