TO-252封装尺寸图电气特性方面，关于***比较大额定值，六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v,反向电压均为400v、600v、800v.平均整流输出电流为5A/10A，运行结温均为150℃，储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。六款直插超快速恢复二极管的产品特性：.低开关损耗.低正向电压.高电流过载能力六款直插超快速恢复二极管的结构：.硅外延平面型.玻璃钝化PN结型六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。原装欢迎来电深圳市凯轩业电子科技有限公司。深圳场效应管
双基极二极管的检测1．电极的判别将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极，一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极B2，另一个电极即是基极B1。2．性能好坏的判断双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。深圳场效应管深圳市凯轩业科技是一家专业晶体管方案设计公司，有想法的不要错过哦！
稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关，由于稳压二极管并不是每个电压值都有，并且稳压值会存在一定的离散性，所以在选择稳压值时，可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时，无法起到正常的稳压作用，过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值，需要首先确定两个值，一个是输入的电压范围，另一个是负载电流的变化范围，还有另外的两个参数较小电流以及比较大电流，这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。假设输入电压的范围为15V-18V，负载电流变化范围为5-15mA，输出稳压值为12V，稳压二极管的较小电流为，比较大电流为50mA。根据公式计算：（18V-12V）/（50mA+5mA）以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数，应该特别主要的是，稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的，这样在输入电压超过其稳压值时，不但不会起到稳压作用，还会引起发热损坏
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性，当低于它的击穿电压时，也与普通二极管的特性相类似，处于截止，但是当超过击穿电压时电流会迅速变化，但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路，就是通过与负载反向并联，保持工作电压稳定的。稳压二极管的使用稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值，它是不导通的，如果超过它的稳压值，它会击穿导通。一般来讲，输入的电压都是超过其稳压值的，在实际使用时，就需要通过电阻与其串联，去承担高于稳压值的这部分电压。深圳市凯轩业科技为您供应晶体管设计，有想法的不要错过哦！
如果二极管反向耐压满足不了实际电路工作情况，可以通过串联两个二极管来提高二极管的反向耐压。下面是将两个二极管串联，分别测量它们各自反向电压电流曲线以及串联后的电压电流曲线，可以看到反向击穿电压等于它们各自反向击穿电压之和。二极管串联之后的反向电压电流曲线有一种双向稳压二极管，通常用于电路的保护，逆变电路中反激电压的产生。它相当于将两个二极管反向串联在一起。从外表上来看它没有特别的极性标识，使用万用表的二极管档测量，它两个方向都呈现截止特性。如果施加正向和反向电压，可以看到它的电压电流曲线在两个方面上基本一致。下图是对一种双向稳压二极管测量两个方向的击穿电压电流曲线。双向稳压二极管的击穿电压电流曲线晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，让您满意，期待您的光临！深圳场效应管
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6））瞬态电压***器TVS一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。7）发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。8）肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。深圳场效应管
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