TVS1.5KE100A反向电压电流曲线1N5404是一款中级功率整流二极管，正向平均电流3A，反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线：1N5404整流二极管反向电压电流曲线肖特基二极管前向导通电压比较低，用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。1N5817是一款整流肖特二极管，数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升，随着电流增加，反向电压反而下降，呈现明显的复阻抗特性。一种固态二极管，专门用于ESD 保护。信赖之选深圳市凯轩业电子科技有限公司。深圳三极管
特殊二极管稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作，即击穿后电压有微小的增加时，击穿电流增加巨大这一特性，使得当电路中电流有波动时，稳压管两端的电压基本不变。稳压管是否被反向击穿，可以借用二极管是否导通的方法来判断，即先断开稳压管，然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压，且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压，则接入稳压管后稳压管反向击穿，两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大，超过了稳压管的承受能力，时间一长将烧坏稳压管。使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿，还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿，然后计算其电流，判断是否处于这个安全范围。若是，则假设成立，不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。深圳可控硅管若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
三极管三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；（2）Vcbo:在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；（3）Vebo:在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；三极管的三个反向击穿电压虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：Vcbo>Vceo>>Vebo
三极管各区的工作条件：1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。半导体三极管的好坏检测a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！
稳压二极管是很多电路中，低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低，只需与电阻组合，就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高，但是在很多要求不高的电路中，还是比较合适的。稳压二极管的稳压原理稳压二极管也叫做齐纳二极管，它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性，但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候，会出现击穿的现象，并且这种击穿是软击穿，并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用，就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的，PN结在反向击穿时，电流在一定范围内变化时，电压会基本保持不变。晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，用户的信赖之选，欢迎您的来电！深圳三极管
电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。深圳三极管
MOS管MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。NMOS管的原理图示如下它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。深圳三极管
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