重庆压敏电阻MOV电路图 上海来明电子供应

压敏电阻基本参数：7．电压温度系数：指在规定的温度范围（温度为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时，压敏电阻器两端电压的相对变化。8．电流温度系数：指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。9．电压非线性系数：指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。10．绝缘电阻：指压敏电阻器的引出线(引脚)与电阻体绝缘表面之间的电阻值。11．静态电容量（PF）：指压敏电阻器本身固有的电容容量。12.额定功率：在特定的环境温度85℃下工作1000小时，使压敏电压变化小于10%的最大功率。13，重庆压敏电阻MOV电路图，重庆压敏电阻MOV电路图，重庆压敏电阻MOV电路图.比较大冲击电流(8/20us):以特定的脉冲电流(8/20us波形)冲击压敏电阻器一次或两次（每次间隔5分钟），使的压敏电压变化仍在10%以内的比较大冲击电流。压敏电阻具有较高的浪涌吸收能力，高达数十千安倍。重庆压敏电阻MOV电路图

压敏电阻比较大能量（能量耐量）：压敏电阻所吸收的能量通常按下式计算W=kIVT(J)其中I——流过压敏电阻的峰值；V——在电流I流过压敏电阻时压敏电阻两端的电压；T——电流持续时间；k——电流I的波形系数。对：2ms的方波k=1，8/20μs波k=1.4，10/1000μsk=1.4。压敏电阻对2ms方波，吸收能量可达330J每平方厘米；对8/20μs波，电流密度可达2000A每立方厘米，这表明他的通流能力及能量耐量都是很大的。一般来说压敏电阻的片径越大，它的能量耐量越大，耐冲击电流也越大，选用压敏电阻时还应当考虑经常遇到能量较小、但出现频率次数较高的过电压，如几十秒、一两分钟出现一次或多次的过电压，这时就应该考虑压敏电阻所能吸收的平均功率。重庆压敏电阻MOV电路图常用的压敏电阻型号有471KD10或10D471K。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。

压敏电阻能量吸收能力ZnO压敏电阻的主要功能就是泄放浪涌冲击，将电压限制到对于保护电气设备无害的程度。压敏电阻本身也会受到各种操作浪涌的冲击，这些操作的冲击的幅值和持续时间各不相同。此外这种浪涌冲击也可能以重复波的形式出现，频率为60Hz，通常称为短时过电压。这些冲击相互之间的差别是持续时间，它可以从微秒级变到毫秒级。雷电的浪涌波形为8/20us，而操作浪涌的波形是100/1000us。另一方面，方波波形的持续时间为2000到5000us。压敏电阻不仅*在稳态电压下应当热稳定，而且必须吸收时间各不相同的各种浪涌冲击，不会产生过高的温度，从而避免热失控。因此，对ZnO压敏电阻来说，以J/cm的来度量的能量吸收能力是*次于非线性的第二个重要性能。“压敏电阻"主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。

压敏电阻的选用及注意事项：选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值[1]。漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值[1]。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流[1]。浪涌环境参数包括比较大浪涌电流Ipm（或比较大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的**小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。 高能型：指用于吸收发电机励磁线圈，起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器。重庆压敏电阻MOV电路图

压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。重庆压敏电阻MOV电路图

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。 重庆压敏电阻MOV电路图

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