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湖南100KATVS残压 上海来明电子供应

上传时间:2023-06-12 浏览次数:
文章摘要:比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力,湖南1

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力,湖南100KATVS残压。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。,湖南100KATVS残压。,湖南100KATVS残压。。TVS硬击穿可表现为晶体管图示仪上伏安曲线直接呈现一条直线。湖南100KATVS残压

TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容,或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。。。福建玻璃TVS残压SMC封装的TVS功率比较大可做到8kW。

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说,ISO7627-2这个标准是***不会陌生,这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度,只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了,分别是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截图是从ISO7637-2 2004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了)。对于从1到4的几个波形,基本上都是一些时间极短的脉冲,虽然正负电压的幅值很高,但是能量很小,基本上电路上不用做太多特殊的防护,单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来,而对5a,5b波形,就需要做专门的应对了,而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。

TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。SMAF或SMBF封装的TVS是扁平化的TVS封装类型,比较薄,节约PCB空间。

热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。TVS的短路击穿分为软击穿和硬击穿,硬击穿一般是漏电流增大。上海4532TVS电路

TVS与MOV比,具有较低的钳位电压。湖南100KATVS残压

要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在 TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。湖南100KATVS残压

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