天津USB3.0接口ESD保护元件选型 上海来明电子供应

ESD保护,在将电缆移去或连接到网络分析仪上时，防止静电放电（ESD）是十分重要的。静电可以在您的身体上形成且在放电时很容易损坏灵敏的内部电路元件。一次太小以致不能感觉出的静电放电可能造成长久性损坏。为了防止损坏仪器，应采取以下措施：1、保证环境湿度。2、铺设防静电地板或地毯。3、使用离子风枪、离子头、离子棒等设施，使在一定范围内防止静电产生。4、半导体器件应盛放在防静电塑料盛器或防静电塑料袋中,这种防静电盛器有良好导电性能,能有效防止静电的产生。当然，天津USB3.0接口ESD保护元件选型,有条件的应盛放在金属盛器内或用金属箔包装。5、操作人员应在手腕上带防静电手带,这种手带应有良好的接地性能，天津USB3.0接口ESD保护元件选型,这种措施**为有效，天津USB3.0接口ESD保护元件选型。硅基ESD静电保护元件具有较低的钳位电压。天津USB3.0接口ESD保护元件选型

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。陕西BNC接口ESD保护元件封装MM机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。

静电ESD保护元件选型注意事项：1.传输速率，也就是电容量的控制，现在随着工艺的不断完善，电容量越做越低。2.符合测试要求的标准，不是越高越好，而是适合自已的产品，例如：空气放电15KV 接触 8KV3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑，yint公司首席技术经理，说过一句很经典的话，在电路中，假如非万不得已不要增加多余的器件，每增加一个，就是增加失效风险，保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件，它也有失效益机率，所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。

ESD策略，ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地，使传送到被保护器件的ESD脉冲能量比较低，同时要求防护电路对正常工作信号的损耗和失真**小。因此设计ESD防护电路的基本指导思想是:对ESD信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量小，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量大;对工作信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量大，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量小。**的电浪涌防护器件主要有压敏电阻MOV气体放电管GDT 瞬态电压抑制二极管TVS半导体闸流管瞬态抑制器件TSS、快速开关二极管等。ESD静电保护元件被广泛应用于各类通信接口。

提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时，防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题，此时可以采用以下优化设计方法，提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压，使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联，导通电压提高n倍;两只二极管反向串联，导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后，高频信号通过二极管对电容充电，电容充电后对二极管提供偏压，提升二极管的正向导通电乐。ESD放电具有高频、快速放电特性，对防护器件的响应速度要求较高。北京USB2.0ESD保护元件电压

在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力。天津USB3.0接口ESD保护元件选型

在高频接口还可以采用电阻衰减网络和LC滤波电路形成ESD保护。电阻衰减网络在很宽的频带范围都有较好的适应性，但是它在衰减ESD脉冲的同时，对高频信号进行同比例衰减，改变了电路系统的增益分配，而且在低噪声要求的高频接口不能采用此方法。从图1的ESD频谱可见，数百MHz以下的高频接口很难使用滤波方法实现ESD防护，只有在GHz以上的高频接口且使用LC高通滤波器才具有可实现性。适用于高频信号接口的ESD防护电路必须有很小的并联结电容、较小的串联电感和很快的响应速度，这对防护器件参数的选取、PCB布局的寄生参数控制、阻抗匹配以及布板面积都有较高的要求，实际实现起来并不简单。天津USB3.0接口ESD保护元件选型

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