TVS/ESD静电保护元件阵列,青海耳机接口ESD保护元件参数,ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数(高达1000)之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压,进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD,青海耳机接口ESD保护元件参数,青海耳机接口ESD保护元件参数,是一种过压保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容,具有优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数高达1000之后,进而改善对敏感电子元件的保护。 在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。青海耳机接口ESD保护元件参数
由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。重庆低压ESD保护元件参数ESD静电保护元件一般并联在电流中使用。
开车外出也要注意静电的防护,在加油站时,一定要防范静电,加油前先放电,一般情况下,自助加油机本身就能够释放静电。自助加油机上的键盘,它的材质是金属并且是直接与地相接触的,车主在加油前输入自己的加油信息时就已将身上所携带的静电释放出去了。当然,比较好能够在加油前,先把手按压在自助加油机的释放静电按钮上放电,这样会更加安全。正确使用加油枪,加油前,比较好将加油枪在油箱口轻碰一下以消除静电。在加油时将油***尽量深入油箱口,这样可以减少汽油蒸汽的挥发,相当于从源头上减少了起火介质。如果油箱口冒火,千万不要惊慌,应马上停止加油作业,然后将加油枪口远离油源,迅速用灭火器将火扑灭。
在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。图2为Diode的一种典型应用情况,在VDD相对于VSS发生PositiveESDPulse时,Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流,从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流,在大电流下器件的功耗很大,因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低,器件的微分电阻也较大;而在VDD相对于VSS发生NegativeESDPulse时,该Diode为正偏并释放ESD电流,由于二极管的正向导通电压很小,此模式下器件的功耗很小,因此其抗ESD能力非常强。由于Diode在正偏和反偏两种状态下的ESD能力差别非常大,因此目前在使用二极管作ESD保护器件时往往会采用非常大的器件面积提升二极管反偏状态下的ESD能力,如此一来,缺点是非常明显的,它增大了ESD器件的面积占用,更为严重的是,对于高频引脚而言,此方式会带来较大的寄生电容,使引脚的频率特性变差。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案。
ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时,产品的组装、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤,通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生,因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外,还要加强产品的ESD防护设计,尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品可靠性的一个重要环节。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。北京USB2.0ESD保护元件电压
常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。青海耳机接口ESD保护元件参数
ESD策略,ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地,使传送到被保护器件的ESD脉冲能量比较低,同时要求防护电路对正常工作信号的损耗和失真**小。因此设计ESD防护电路的基本指导思想是:对ESD信号来说,接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量小,而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量大;对工作信号来说,接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量大,而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量小。**的电浪涌防护器件主要有压敏电阻MOV气体放电管GDT 瞬态电压抑制二极管TVS半导体闸流管瞬态抑制器件TSS、快速开关二极管等。青海耳机接口ESD保护元件参数
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