塑封压敏电阻MOV 上海来明电子供应

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，塑封压敏电阻MOV，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，塑封压敏电阻MOV，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，塑封压敏电阻MOV，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。压敏电阻是一种过压保护元件，一般用于交流电路浪涌保护。塑封压敏电阻MOV

压敏电阻有什么用？压敏电阻的比较大特点是当加在它上面的电压低于它的阈值"UN"时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，它的阻值变小，这样就使得流过它的电流激增而对其他电路的影响变化不大从而减小过电压对后续敏感电路的影响。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。例如：我们家用的彩电的电源电路中就使用了氧化锌压敏电阻，这里使用的压敏电阻压敏电压为470V，当瞬态的浪涌电压比较大值（非有效值）超过470V时，压敏电阻就是体现他的钳位特性，把过高的电压拉低，让后级电路工作在一个安全的范围内。塑封压敏电阻MOV压敏电阻可通过串联的方式来提供工作电压。

1.压敏电压：指在规定的温度和直流（一般为1mA或0.1mA）下，压敏电阻器两端的电压值。记为V1mA或V0.1mAo2.比较大连续电压：指在规定环境温度下，能长期持续加在压敏电阻器两端的比较大正弦交流电压有效值或比较大直流电压值3.限制电压：指在压敏电阻器中通过规定大小的冲击电流（8,20μs）时，其两端的最大电压峰值。4.额定功率：指在规定的环境温度下，可施加给压敏电阻器的比较大平均冲击功率。5.比较大能量：在压敏电压变化不超过±10%，冲击电流波形为10,1000μs或2ms的条件下，可施加给压敏电阻的比较大一次冲击能量。6.通流容量（比较大冲击电流）

压敏电阻的选用及注意事项：选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值[1]。漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值[1]。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流[1]。浪涌环境参数包括比较大浪涌电流Ipm（或比较大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的**小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。 贴片压敏电阻一般用于电路静电保护。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。压敏电阻是一种限压型保护器件。塑封压敏电阻MOV

25MM压敏电阻脚间距一般为10mm或12.5mm。塑封压敏电阻MOV

压敏电阻常常与保护元件并联使用，要是放在电源入口处基本在保险丝后面，当压敏电阻失效后保险丝可以起到保护作用。而热敏电阻在高压回路中一般是上电瞬间限流，单独串在电路中一般选用NTC负温度系数热敏电阻。一般电源的工作电压为85~265V，比较大应该也不会300V（小于压敏的连续工作电压），国内的标准电压为220V。压敏电阻电压选择：V1mA=1.5Vpp=2.2VAC，Vpp为额定峰值电压（根号2xVAC）。VAC为交流有效值。其中的1.5与2.2为安全余量系数，是一个大概的取值范围，1.5为VmA＝av/bc式中：a为电路电压波动系数，一般取1.2；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差，一般取0.85；c为元件的老化系数，一般取0.9；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍。交流电压安全倍数≧（2.2~2.5），这里取2.2。塑封压敏电阻MOV

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