海南低负载电容型晶振电路 上海来明电子供应

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的，海南低负载电容型晶振电路。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，海南低负载电容型晶振电路，海南低负载电容型晶振电路，所以用户选购时应特别说明。晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。海南低负载电容型晶振电路

晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。广西长方形晶振老化陶瓷晶振芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。

电压特性。。其他条件保持不变时，，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的比较大允许频偏。、⑧杂波。杂波是指输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。、⑨谐波。、谐波是指谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。⑩日波动。指振荡器经过规定的预热时间后，每隔1h测量一次，连续测量24h，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0计算，得到日波动。

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。普通无源谐振器(低频KHz/高频Mhz)：低频kHz主要以32.768kHz频率的音叉晶体作为**。

技术创新改进产品设计，提高技术技含量，在创造价值方面获得突破;改进生产制造设备，提高科技含量，在节能高效和制造工艺的稳定可靠方面获得突破，并力争推向市场，成为设备制造商加大科技投入，开发新产品，及时推向市场，力争在本行业和跨行格比的突破，成为行业科技先锋。顾客满意以客户为中心，提高自身服务质量，实现中长期的稳定成长和发展。不断收集和研究目标客户群的产品和服务需求，并积极而有效地反馈、融入到自身的产品和营销策略中去，力求达到满足客户的宗旨。晶振具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形，如外力使晶片变形，两极上金属片又会产生电压。海南低负载电容型晶振电路

晶体振荡器具有正逆压电效应可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等可作为信号源使用。海南低负载电容型晶振电路

14.318兆赫兹时钟晶振，用于时钟芯片。14.318兆赫兹晶振不起振，会影响主板上电后全板无复位。起振波形不正常，还有可能导致主机开机不稳定的现象发生。24.576兆赫兹音频晶振，与声卡芯片相连。晶振不起振可能会出现无音频信号，抓不住声卡等问题。32.768千赫兹圆柱晶振，实时晶振，与南桥相连，32.768千赫兹晶振能直接会影响主板系统时钟的准确性，若损坏，会出现时钟走时不准确。25兆赫兹晶振，与网卡芯片相连，晶振不起振会影响不上电，或上电后断电或不开机现象，单边起振也出现上电后断电现象。27兆赫兹晶振，为BGA内部VGA部分提供相关工作时钟，27兆晶振不起振则会影响VGA无显示。海南低负载电容型晶振电路

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