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吉林3000W瞬态抑制二极管选型 上海来明电子供应

上传时间:2023-03-24 浏览次数:
文章摘要:TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分较多,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS23

TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分较多,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交、直流电源;电机、继电器噪声的抑制等各个领域。它可以有效地对雷电、负载开关等人为操作错误引起的过电压冲击起保护作用,下面是几个TVS在电路应用中的典型例子,吉林3000W瞬态抑制二极管选型。TVS具有体积小、功率大,吉林3000W瞬态抑制二极管选型,吉林3000W瞬态抑制二极管选型、响应快、无噪声、价格低等诸多优点。吉林3000W瞬态抑制二极管选型

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。吉林3000W瞬态抑制二极管选型SOD-123封装的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。

当PN结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于1对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,**终达到耗尽区载流子数目激增,PN结发生雪崩击穿。当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。

TVS的封装类型有:2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封装:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封装:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封装:P4KE系列(400W);7)DO-15封装:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;。。。。瞬态电压抑制二极管简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。吉林3000W瞬态抑制二极管选型

特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。吉林3000W瞬态抑制二极管选型

长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验,发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。吉林3000W瞬态抑制二极管选型

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