对于各个电路和具体的增益控制方法的介绍,可参见前面的实施例的描述,此处不再详述。应理解,广东品质射频功率放大器设计,说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外,这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解,在本申请的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号为了描述,不实施例的优劣。需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,广东品质射频功率放大器设计,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的电路中还存在另外的相同要素。以上所述,广东品质射频功率放大器设计,为本申请的实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此。传统线性功率放大器有高的增益和线性度但效率低,而开关型功率放大器有高的效率和输出功率,但线性度差。广东品质射频功率放大器设计
通过微处理器发出的第五控制信号和第六控制信号,控制电压源档位的切换,可切换第三mos管的栅极电压,从而调节驱动放大电路的放大倍数。通过调节驱动放大电路的放大倍数使射频功率放大器电路处于不同的增益模式中。第二电压信号vcc用于给第二mos管和第三mos管的漏级供电,其中,通过微处理器控制vcc的大小。在一些实施例中,当第二mos管和第三mos管的沟道宽度为2mm时,微控制器控制vcc为,控制电流源为12ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制vcc为,控制电流源为2ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现负增益模式。显然,可以设置更多的电压源的档位和电流源的档位,通过切换不同的电压源档位、电流源档位,并对第二mos管和第三mos管的漏级的供电电压vcc进行控制,从而实现增益的线性调节。需要说明的是,第二偏置电路与偏置电路结构相同,其调节方法也与偏置电路相同,当第四mos管和第五mos管的沟道宽度为5mm时,微控制器控制第四mos管对应的电流源为45ma,控制第五mos管对应的电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制第四mos管对应的电流为6ma,控制第五mos管对应的电压源为。广东品质射频功率放大器设计输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。
下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的结构示意图;图2是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路的电路原理图;图3是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的电路原理图;图4是本申请实施例提供的自适应动态偏置电路提供的偏置电压与输出功率的曲线示意图;图5是现有的射频高功率放大器与本申请实施例提供的高线性射频放大器的imd3曲线图。具体实施方式下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。
微控制器控制第五一开关导通、第五二开关关断,此时可实现低增益;微控制器控制第五一开关和第五二开关均导通,此时反馈电路的等效电阻小,可实现负增益。在一些实施例中,当射频放大器电路的高增益为30db左右,低增益为15db左右,负增益为-10db左右时,可设置第五三电阻的阻值为5kω,第五一电阻的电阻为1kω,第五二电阻的电阻为100ω。需要说明的是,本实施例对反馈电路的具体形式不做限定。可见,通过控制反馈电路中第二开关的通断,可以改变射频功率放大器电路的增益大小,实现增益的大范围调节。在一个可能的示例中,级间匹配电路104包括:第三电感l3、第七电容c7和第八电容c8,其中:第三电感的端连接第三mos管的漏级,第三电感的第二端连接第二电压信号和第七电容的一端,第七电容的端连接第二电压信号,第七电容的第二端接地,第八电容的端连接第三mos管的漏级。其中,第二电压信号为vcc。在本申请实施例中,考虑到级间匹配电路的复杂性,将级间匹配电路简化为用第三电感、第七电容和第八电容表示。在一个可能的示例率放大电路105包括:第四mos管t4、第五mos管t5和第九电容c9,其中:第四mos管的栅级与第八电容的第二端连接。匹配电路是放大器设计中关键一环,可以说放大设计主要是匹配设计。
显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值,计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。如图1所示,该方法的具体流程可以如下:101、预设射频功率放大器的配置状态电阻值。例如,移动终端在连接一个频段时,需要启动该频段所对应的射频功率放大器。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态。功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。浙江宽带射频功率放大器
射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的中心。广东品质射频功率放大器设计
因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,对芯片面积占用小,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。广东品质射频功率放大器设计
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