通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率,使得进入后续电路的射频功率减小,广西定制开发射频功率放大器检测技术,输入信号衰减,从而实现负增益。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与第二电阻的端连接,开关的源级接地,电感的端连接输入信号,电感的第二端连接第二电阻的第二端;其中,开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,广西定制开发射频功率放大器检测技术,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。需要说明的是,开关为绝缘体上硅cmos管,或平面结构mos管。电阻为上拉电阻,其阻值较小,电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中,广西定制开发射频功率放大器检测技术,微处理器通过控制vgg=,使得开关关断,可控衰减电路处于无衰减状态,将输入匹配电路与可控衰减电路隔离,此时,射频功率放大器电路对输入信号放大,射频功率放大器电路实现非负增益模式。甲类工作状态:功放大器在信号周期内始终存在工作电流,即导通角0为360度。广西定制开发射频功率放大器检测技术
是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成就可以相互结合。请参考图1,其示出了本申请实施例提供的一种高线性射频功率放大器的结构示意图。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路。自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的输出栅极偏置电压。功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端rfin。江苏制造射频功率放大器传统线性功率放大器有高的增益和线性度但效率低,而开关型功率放大器有高的效率和输出功率,但线性度差。
射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态的电阻值相同,则表示射频功率放大器配置完成。相应的,本发明实施例还提供一种移动终端,如图4所示,该移动终端可以包括射频(rf,radiofrequency)电路401、包括有一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器402、输入单元403、显示单元404、传感器405、音频电路406、无线保真(wifi,wirelessfidelity)模块407、包括有一个或者一个以上处理的处理器408、以及电源409等部件。本领域技术人员可以理解,图4中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。其中:rf电路401可用于收发信息或通话过程中,信号的接收和发送,特别地,将基站的下行信息接收后,交由一个或者一个以上处理器408处理;另外,将涉及上行的数据发送给基站。通常,rf电路401包括但不限于天线、至少一个放大器、调谐器、一个或多个振荡器、用户身份模块(sim,subscriberidentitymodule)卡、收发信机、耦合器、低噪声放大器(lna,lownoiseamplifier)、双工器等。此外,rf电路401还可以通过无线通信与网络和其他设备通信。所述无线通信可以使用任一通信标准或协议。
温度每升高10°C将会导致内部功率器件的平均无故障工作时间(MTBF)缩短。AB类放大器在讨论AB类放大器之前,让我们简单地说一说B类放大器。B类放大器的晶体管偏置使得器件在输入信号的半个周期内导通,在另半个周期截止,为了复现整个周期的信号,可采用双管B类推挽电路,如图所示。B类放大器的偏置设置使得当在没有输入信号的情况下器件的输出电流为零,每个器件只在特定的信号半周期内工作,因此,B类放大器具有高的效率,理论上可以达到。但由于两个管子交替着开启关闭引起的交越失真使得线性度不好。这种交越失真的存在使它不适合商用电磁兼容标准的应用。AB类放大器也是EMC领域常用的功率放大器,其工作原理图如图5所示。图5:AB类放大器的工作原理图AB类放大器试图使得工作效率与B类放大器接近,而线性度与A类放大器接近。通过调整对偏置电压的设置,使得AB类放大器中的每个管子都可以像B类放大器一样分别在输入信号的半个周期内导通,但在两个半周期中每个管子都会有同时导通的一个很小的区域,这就避免了两个管子同时关闭的区间,结果是,当来自两个器件的波形进行组合时,交叉区域导致的交越失真被减少或完全消除。通过对静态工作点的精确设置。交调失真有不同频率的两个或更多的输入信号经过功率放大器而产生的 混合分量由于功率放大器的非线性造成的。
LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化,这种主要特性因此允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管的功率,且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数,因此可以防止热耗散的影响。由于以上这些特点,LDMOS特别适用于UHF和较低的频率,晶体管的源极与衬底底部相连并直接接地,消除了产生负反馈和降低增益的键合线的电感的影响,因此是一个非常稳定的放大器。LDMOS具有的高击穿电压和与其它器件相比的较低的成本使得LDMOS成为在900MHz和2GHz的高功率基站发射机中的优先。LDMOS晶体管也被应用于在80MHz到1GHz的频率范围内的许多EMC功率放大器中。在GHz输出功率超过100W的LDMOS器件已经存在,半导体制造商正在开发频率范围更高的,可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化镓金属半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)砷化镓(galliumarsenide),化学式GaAs,是一种重要的半导体材料。属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,具有高电子迁移率(是硅的5到6倍),宽的禁带宽度(硅是),噪声低等特点,GaAs比同样的Si元件更适合工作在高频高功率的场合。微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量,输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。广东射频功率放大器电话多少
输出匹配电路主要应具备损耗低,谐波抑制度高,改善驻波比,提高输出功 率及改善非线性等功能。广西定制开发射频功率放大器检测技术
图10为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图。具体实施方式对于窄带物联网(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的终端(userequipment,ue)来说,射频前端系统中的射频功率放大器电路一般要求发射功率可调,当射频功率放大器电路之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。例如,在窄带物联网通信对象之间距离近(nb-iot的终端距离基站很近)的情况下会出现负增益的需求。在应用中,一方面在射频功率放大器的电路设计中,可以降低功率增益,在不过度影响原有电路匹配的前提下,通过增强驱动级晶体管的负反馈;另一方面,可以在输入匹配电路中插入可控衰减电路的设计,这样对功率放大器的性能影响较小,降低增益的效果明显。下面介绍一种射频功率放大器电路,是在高增益模式的电路基础上,一般通过增强驱动级的负反馈来降低增益。图1a为相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图,图1b为图1a的电路结构示意图,参见图1a和图1b,方案。广西定制开发射频功率放大器检测技术
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