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四川EMC射频功率放大器价格多少 能讯通信科技供应

上传时间:2022-06-26 浏览次数:
文章摘要:    本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当

    本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节,但是反馈电路只能增加或减少增益,而不能实现负增益,无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素:有鉴于此,本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的:本申请实施例提供一种射频功率放大器电路,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路,四川EMC射频功率放大器价格多少、级间匹配电路,四川EMC射频功率放大器价格多少、功率放大电路和输出匹配电路,与所述驱动放大电路跨接的反馈电路;所述可控衰减电路,用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路。随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求:大功率输出,四川EMC射频功率放大器价格多少、高效率、高线性度、高频率.四川EMC射频功率放大器价格多少

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor)和GaAs,在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段和高效率等要求。目前针对3G和LTE基站市场的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs两种,但LDMOS功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少,在不超过约,而GaAs功率放大器虽然能满足高频通信的需求,但其输出功率比GaN器件逊色很多。在5G高集成的MassiveMIMO应用中,它可实现高集成化的解决方案,如模块化射频前端器件。在毫米波应用上,GaN的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下,可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸。实现性能成本的优化组合。随着5G时代的到来,小基站及MassiveMIMO的飞速发展,会对集成度要求越来越高,GaN自有的先天优势会加速功率器件集成化的进程。5G会带动GaN这一产业的飞速发展。然而,在移动终端领域GaN射频器件尚未开始规模应用,原因在于较高的生产成本和供电电压。GaN将在高功率,高频率射频市场发挥重要作用。GaN射频PA有望成为5G基站主流技术预测未来大部分6GHz以下宏网络单元应用都将采用GaN器件,小基站GaAs优势更明显。就电信市场而言,得益于5G网络应用的日益临近。江苏大功率射频功率放大器价格多少微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。

    功率放大电路105,用于放大级间匹配电路输出的信号;输出匹配电路106,用于使射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。其中,射频功率放大器电路应用于终端中,可以根据终端与基站的距离选取对应的模式。当终端与基站的距离较近时,路径损耗较小,终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较小,射频功率放大器电路此时处于负增益模式下,输入信号进行一定程度的衰减,可得到输出功率较小的输出信号;当终端与基站的距离较远时,路径损耗较大,终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较大,射频功率放大器电路此时处于非负增益模式下,对输入信号进行一定程度的放大,可得到输出功率较大的输出信号。在一个可能的示例中,模式控制信号包括控制信号和第二控制信号,其中:控制信号表征将射频功率放大器电路切换为非负增益模式时,可控衰减电路,用于响应控制信号,控制自身处于无衰减状态;第二控制信号表征将射频功率放大器电路切换为负增益模式时,可控衰减电路,用于响应第二控制信号,控制自身处于衰减状态。其中,当可控衰减电路处于无衰减状态时,可控衰减电路不工作;当可控衰减电路处于衰减状态时,可控衰减电路工作。

    下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的结构示意图;图2是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路的电路原理图;图3是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的电路原理图;图4是本申请实施例提供的自适应动态偏置电路提供的偏置电压与输出功率的曲线示意图;图5是现有的射频高功率放大器与本申请实施例提供的高线性射频放大器的imd3曲线图。具体实施方式下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。

    主次级线圈121的第二端与射频功率放大器的输出端output耦接;辅次级线圈122的端与主次级线圈121的第二端耦接,辅次级线圈122的第二端与匹配滤波电路中的输出端匹配滤波电路耦接。也就是说,在本发明实施例中,次级线圈由主次级线圈121以及辅次级线圈122组成,辅次级线圈122可以与输出端匹配滤波电路组成功率合成的功能。在具体实施中,匹配滤波电路可以包括输入端匹配滤波电路以及输出端匹配滤波电路。输入端匹配滤波电路可以与功率合成变压器的输入端、功率放大单元的输出端耦接,以及与功率合成变压器的第二输入端、功率放大单元的第二输出端耦接。输出端匹配滤波电路可以串联在辅次级线圈122的第二端与地之间。在具体实施中,输入端匹配滤波电路可以包括子滤波电路以及第二子滤波电路,其中:子滤波电路的端可以与功率合成变压器的输入端以及功率放大单元的输出端耦接,子滤波电路的第二端可以接地;第二子滤波电路的端可以与功率合成变压器的第二输入端以及功率放大单元的第二输出端耦接,第二子滤波电路的第二端可以接地。也就是说,在本发明实施例中,在功率合成变压器的输入端以及功率合成变压器的第二输入端可以均设置有对应的滤波电路。功放中使用电感器一般有直线电感、折线电感、单环电感和螺旋电感等。四川EMC射频功率放大器价格多少

根据晶体管的增益斜率和放大器增益要求,确定待综合匹配网络的衰减斜 率、波纹、带宽,并导出其衰减函数。四川EMC射频功率放大器价格多少

伴随着国际制造业向中国转移,中国大陆电子元器件行业得到了飞速发展。从细分领域来看,随着4G、移动支付、信息安全、汽车电子、物联网等领域的发展,射频功放,宽带射频功率放大器,射频功放整机,无人机干扰功放产业进入飞速发展期;为行业发展带来了广阔的发展空间。对于下一步发展计划,不少行业家和企业表示,后续将继续完善电子信息全产业链的交易服务平台,深耕拓展产 品 分 别 10KHz ~ 18GHz 频 带 有 百 余 种 射 频 功 放 产 品 ,10W、50W、100W、200W 及各类开关 LC 滤波器(高低通滤波器)宽带双定向耦合器系列产品。功放整机 。线下授权分销及上下游相关行业,完善产业布局,通过发挥华强半导体集团的大平台优势,整合优化产 品 分 别 10KHz ~ 18GHz 频 带 有 百 余 种 射 频 功 放 产 品 ,10W、50W、100W、200W 及各类开关 LC 滤波器(高低通滤波器)宽带双定向耦合器系列产品。功放整机 。线下授权分销业务内外部资源。努力开发国际产 品 分 别 10KHz ~ 18GHz 频 带 有 百 余 种 射 频 功 放 产 品 ,10W、50W、100W、200W 及各类开关 LC 滤波器(高低通滤波器)宽带双定向耦合器系列产品。功放整机 。原厂和国内原厂的代理权,开拓前沿应用垂直市场,如数据中心、5G基础设施、物联网、汽车电子、新能源、医治等领域的重点器件和客户消息,持续开展分销行业及其上下游的并购及其他方式的扩张。电子元器件行业位于产业链的中游,介于电子整机行业和电子原材料行业之间,其发展得快慢,所达到的技术水平和生产规模,不但直接影响着整个电子信息产业的发展,而且对发展信息技术,改造传统产业,提高现代化装备水平,促进科技进步都具有重要意义。四川EMC射频功率放大器价格多少

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