韶关C波段射频功率放大器 能讯通信科技供应

    1)中降低增益的设计方案一般包括输入匹配电路101、驱动放大级电路102、反馈电路103，韶关C波段射频功率放大器、级间匹配电路104、功率放大级电路105和输出匹配电路106。其中，输入匹配电路101由l2、c1和r3串联组成；驱动放大级电路102由mosfett2和t3叠加构成共源共栅结构，t3的栅极通过c2射频接地；反馈电路103由r4和c4串联，韶关C波段射频功率放大器，跨接在t2栅极和t3漏极之间组成；级间匹配电路104由l3、c7和c8组成；功率放大级电路105由mosfett4和t5叠加构成共源共栅结构，t5的栅极通过c6射频接地。输出匹配电路106由l4、l5、c10和c11组成。注意t2和t4组成电流偏置电路(电流镜形式)，以及t3和t5组成电压偏置电路，在图1b中缺省。该方案(1)能较好的保证功率放大器在增益降低后的带宽和线性度等性能，但是，单纯依靠反馈电路提供的负反馈，能降低增益但不能将增益变为负。下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步详细阐述。在窄带物联网的应用场景中，终端，如水电表等，在其内部有射频收发器、通信模组、微控制器、射频功率放大器电路和天线等；其中：射频收发器用于对信号进行混频；通信模组，用于与基站进行通信，进而实现自动化抄表；微控制器，韶关C波段射频功率放大器，用于对射频功率放大器电路进行控制，以得到一定的输出功率。输出匹配电路主要应具备损耗低，谐波抑制度高，改善驻波比，提高输出功 率及改善非线性等功能。韶关C波段射频功率放大器

    比如r53＝5kω、r51＝1kω、r52＝100ω。具体的反馈电路中，每组的电阻两旁各用一个电容，原因是开关两端在具体电路中需要为零的dc电压偏置，故用电容先做隔直处理。反馈电路的反馈深度越大，驱动放大电路增益越低，所用的切换电阻需要越小。这里，反馈电路的切换逻辑如下：高增益模式：开关k51和k52均关断；低增益模式：开关k51接通，k52关断；负增益模式：开关k51和k52均接通。假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a，反馈电路的反馈系数为f，则加入反馈电路后射频功率放大器电路的放大系数af＝a/(1+af)，随着反馈电路中等效电阻阻值的降低，反馈系数f变大，反馈深度增加，放大系数af变小，即能实现负反馈电路部分增益的降低。参见图7，t2的漏极(drain)电流偏置电路由内部电流源ib、t6、r6、r7和c12按照图7所示连接而成。t2和t6的宽长比参数w/l成比例关系a(a远大于1)，可以使t2的漏极偏置电流近似为a倍的ib。r6、r7和c12组成的t型网络，起到隔离rfin端射频信号的作用。在实际模拟电路中设计电流源，可将ib电流分成多个档位，通过数字寄存器控制切换ib档位，达到t2漏极电流切换的效果。t3的栅极。韶关C波段射频功率放大器射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。

    通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率，使得进入后续电路的射频功率减小，输入信号衰减，从而实现负增益。在一个可能的示例中，可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1，开关的栅级与电阻的端连接，电阻的第二端连接电压信号，开关的漏级与第二电阻的端连接，开关的源级接地，电感的端连接输入信号，电感的第二端连接第二电阻的第二端；其中，开关，用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态，以使可控衰减电路处于无衰减状态，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态，以使可控衰减电路处于衰减状态，实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，控制信号为具有电压值的电压信号，第二控制信号为具有第二电压值的电压信号，电压值与第二电压值不同。需要说明的是，开关为绝缘体上硅cmos管，或平面结构mos管。电阻为上拉电阻，其阻值较小，电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中，微处理器通过控制vgg＝，使得开关关断，可控衰减电路处于无衰减状态，将输入匹配电路与可控衰减电路隔离，此时，射频功率放大器电路对输入信号放大，射频功率放大器电路实现非负增益模式。

    vgs是指栅源电压，vth是指阈值电压。开关关断的寄生电容：coff＝fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积，单位为fs(飞秒)。另，w/l较大，发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加，相对单sw，能在esd大电流下保护sw的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计，两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的：(1)非负增益模式下，sw1和sw2同时关断；(2)负增益模式下，sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构，如图5a所示，图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路，可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置，这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围，输出功率才能实现所需的效率，增益等性能。可控衰减电路的并联到地支路的sw1和r1，在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下，这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁，输入端口匹配良好，因此输入端的回波损耗好。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。

    在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p，功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理，功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号，功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定，且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中，差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的，对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术，本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中，初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接，输入经过放大的差分信号；初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接，输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中，次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。南山区高频射频功率放大器

微波固态功率放大器通常安装在一个腔体内，由于频率高，往往容易产生寄 生藕合与干扰。韶关C波段射频功率放大器

    比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；至于终端还可配置的陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。音频电路406、扬声器，传声器可提供用户与终端之间的音频接口。音频电路406可将接收到的音频数据转换后的电信号，传输到扬声器，由扬声器转换为声音信号输出；另一方面，传声器将收集的声音信号转换为电信号，由音频电路406接收后转换为音频数据，再将音频数据输出处理器408处理后，经rf电路401以发送给比如另一终端，或者将音频数据输出至存储器402以便进一步处理。音频电路406还可能包括耳塞插孔，以提供外设耳机与终端的通信。wifi属于短距离无线传输技术，移动终端通过wifi模块407可以帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等，它为用户提供了无线的宽带互联网访问。虽然图4示出了wifi模块407，但是可以理解的是，其并不属于移动终端的必须构成，完全可以根据需要在不改变发明的本质的范围内而省略。处理器408是移动终端的控制中心，利用各种接口和线路连接整个手机的各个部分，通过运行或执行存储在存储器402内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器402内的数据。韶关C波段射频功率放大器

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