上海高频射频功率放大器生产厂家 能讯通信科技供应

    本申请实施例涉及但不限于射频前端电路，尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术：射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求发射功率可调，当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时，就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中，上海高频射频功率放大器生产厂家，对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出，其动态范围要达到35～40db，并出现负增益的需求模式，上海高频射频功率放大器生产厂家。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节，但是反馈电路只能增加或减少增益，而不能实现负增益，无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素：有鉴于此，本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路，上海高频射频功率放大器生产厂家、功率放大电路和输出匹配电路，与所述驱动放大电路跨接的反馈电路；所述可控衰减电路，用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换；所述输入匹配电路。功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数，以降低故障概率。上海高频射频功率放大器生产厂家

    使射频功率放大器电路的整体增益满足要求。若需要使射频功率放大器电路为负增益模式，需要微控制器控制开关导通，控制第二开关导通，控制偏置电路使第二mos管的漏级电流、第三mos管的栅级电压以及漏级供电电压vcc均变小，控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流、第五mos管的栅级电压以及漏级供电电压vcc均变小。其中，第二开关导通时，反馈电路的放大系数af较小，对输入信号的放大作用不明显，偏置电路和第二偏置电路中漏极电流和门极电压较小，对输入信号的放大作用也不明显，可以认为未对输入信号进行放大，即增益为0db，此时，若再控制开关导通，则可控衰减电路工作，对输入信号进行衰减，通过这样的控制，可以实现输入信号的衰减。此外，还可以通过对偏置电路和第二偏置电路的调节，来实现不同程度的衰减，使负增益连续可调，在一些实施例中，衰减后射频功率放大器电路的整体增益可以为-5db、-7db、-10db等。当射频功率放大器电路的输出功率(较小)确定后，微处理器可以进一步得到其输入功率和负增益值，微处理器对输入功率进行调节，控制电压信号vgg，使开关导通，控制第二开关导通，通过控制偏置电路和第二偏置电路中的内部电流源和内部电压源。北京高频射频功率放大器批发射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。

    70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS管，其全称为V型槽MOS场效应管，它是继MOSFET之后新发展起来的高效功率器件，具有耐压高，工作电流大，输出功率高等优良特性。垂直MOS场效应晶体管（VMOSFET）的沟道长度是由外延层的厚度来控制的，因此适合于MOS器件的短沟道化，从而提高器件的高频性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF频段，也就是30MHz到3GHz。封装好的VMOS器件能够在UHF频段提供高达1kW的功率，在VHF频段提供几百瓦的功率，可由12V,28V或50V电源供电，有些VMOS器件可以100V以上的供电电压工作。横向扩散MOS（LDMOS）横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是为了减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS，在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。与晶体管相比，LDMOS在关键的器件特性方面，如增益、线性度、散热性能等方面优势很明显，由于更容易与CMOS工艺兼容而被采用。LDMOS能经受住高于双极型晶体管的驻波比，能在较高的反射功率下运行而不被破坏；它较能承受输入信号的过激励，具有较高的瞬时峰值功率。

    温度每升高10°C将会导致内部功率器件的平均无故障工作时间（MTBF）缩短。AB类放大器在讨论AB类放大器之前，让我们简单地说一说B类放大器。B类放大器的晶体管偏置使得器件在输入信号的半个周期内导通，在另半个周期截止，为了复现整个周期的信号，可采用双管B类推挽电路，如图所示。B类放大器的偏置设置使得当在没有输入信号的情况下器件的输出电流为零，每个器件只在特定的信号半周期内工作，因此，B类放大器具有高的效率，理论上可以达到。但由于两个管子交替着开启关闭引起的交越失真使得线性度不好。这种交越失真的存在使它不适合商用电磁兼容标准的应用。AB类放大器也是EMC领域常用的功率放大器，其工作原理图如图5所示。图5：AB类放大器的工作原理图AB类放大器试图使得工作效率与B类放大器接近，而线性度与A类放大器接近。通过调整对偏置电压的设置，使得AB类放大器中的每个管子都可以像B类放大器一样分别在输入信号的半个周期内导通，但在两个半周期中每个管子都会有同时导通的一个很小的区域，这就避免了两个管子同时关闭的区间，结果是，当来自两个器件的波形进行组合时，交叉区域导致的交越失真被减少或完全消除。通过对静态工作点的精确设置。稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。

    显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值，计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值，比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等，开启所述射频功率放大器，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等，所述射频功率放大器配置完成。如图1所示，该方法的具体流程可以如下：101、预设射频功率放大器的配置状态电阻值。例如，移动终端在连接一个频段时，需要启动该频段所对应的射频功率放大器。根据移动终端所切换的频段，预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态。随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求：大功率输出、高效率、高线性度、高频率.陕西低频射频功率放大器技术

微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。上海高频射频功率放大器生产厂家

    每个主体电路中的功率放大器包括2个共源共栅放大器；在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端，功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端；在主体电路，功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏极连接第三变压器的原边；在第二主体电路，功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。可选的，变压器的原边和第二变压器的原边之间还连接有电容，变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接偏置电压，偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压；激励放大器栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。可选的，第三变压器的副边和第四变压器的副边之间还连接有电容，第三变压器原边的中端和第四变压器原边的中端分别通过电感连接电源电压、以及连接接地电容。本申请技术方案，至少包括如下优点：通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器源共栅放大器的栅极偏置电压，提高了射频功率放大器的线性度。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案。上海高频射频功率放大器生产厂家

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