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湖南L波段射频功率放大器检测技术 能讯通信科技供应

上传时间:2022-05-25 浏览次数:
文章摘要:    当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时,第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此,在具体应用中,可以根据功率放大单元的二次谐波频率,选择

    当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时,第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此,在具体应用中,可以根据功率放大单元的二次谐波频率,选择相应电容值的电容c1以及相应电感值的电感l1,以实现谐振频率的匹配;和/或,选择相应电容值的第二电容c2以及相应电感值的第二电感l2,以实现谐振频率的匹配。在具体实施中,电容c1可以是片上可调节的可调电容,通过调节电容c1的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。相应地,第二电容c2也可以是片上可调节的可调电容,通过调节第二电容c2的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。在图1与图2中,子滤波电路的结构与第二子滤波电路的结构相同。可以理解的是,子滤波电路的结构也可以与第二子滤波电路的结构不同,湖南L波段射频功率放大器检测技术。例如,子滤波电路包括电容c1,第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2。又如,子滤波电路包括电容c1以及电感l1,第二子滤波电路包括第二电容c2。在具体实施中,输入端匹配滤波电路还可以包括寄生电容,寄生电容可以耦接在功率放大单元的输出端与功率放大单元的第二输出端之间,湖南L波段射频功率放大器检测技术。在具体实施中,湖南L波段射频功率放大器检测技术,输出端匹配滤波电路可以包括第三子滤波电路。匹配电路是放大器设计中关键一环,可以说放大设计主要是匹配设计。湖南L波段射频功率放大器检测技术

    在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p,功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理,功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号,功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定,且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中,差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的,对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术,本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中,初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接,输入经过放大的差分信号;初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接,输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中,次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。云南短波射频功率放大器技术发射机的前级电路中调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,必须必采用高增益大功率射频功率放大器。

    1)中降低增益的设计方案一般包括输入匹配电路101、驱动放大级电路102、反馈电路103、级间匹配电路104、功率放大级电路105和输出匹配电路106。其中,输入匹配电路101由l2、c1和r3串联组成;驱动放大级电路102由mosfett2和t3叠加构成共源共栅结构,t3的栅极通过c2射频接地;反馈电路103由r4和c4串联,跨接在t2栅极和t3漏极之间组成;级间匹配电路104由l3、c7和c8组成;功率放大级电路105由mosfett4和t5叠加构成共源共栅结构,t5的栅极通过c6射频接地。输出匹配电路106由l4、l5、c10和c11组成。注意t2和t4组成电流偏置电路(电流镜形式),以及t3和t5组成电压偏置电路,在图1b中缺省。该方案(1)能较好的保证功率放大器在增益降低后的带宽和线性度等性能,但是,单纯依靠反馈电路提供的负反馈,能降低增益但不能将增益变为负。下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步详细阐述。在窄带物联网的应用场景中,终端,如水电表等,在其内部有射频收发器、通信模组、微控制器、射频功率放大器电路和天线等;其中:射频收发器用于对信号进行混频;通信模组,用于与基站进行通信,进而实现自动化抄表;微控制器,用于对射频功率放大器电路进行控制,以得到一定的输出功率。

    因为这些特性,GaAs器件被应用在无线通信、卫星通讯、微波通信、雷达系统等领域,能够在更高的频率下工作,高达Ku波段。与LDMOS相比,击穿电压较低。通常由12V电源供电,由于电源电压较低,使得器件阻抗较低,因此使得宽带功率放大器的设计变得比较困难。GaAsMESFET是电磁兼容微波功率放大器设计的常用选择,在80MHz到6GHz的频率范围内的放大器中被采用。GaAs赝晶高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)GaAspHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管(PMODFET),具有更高的电子面密度(约高2倍);同时,这里的电子迁移率也较高(比GaAs中的高9%),因此PHEMT的性能更加优越。PHEMT具有双异质结的结构,这不提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性,使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。采用这种材料可以实现频率达40GHz,功率达几W的功率放大器。在EMC领域,采用此种材料可以实现,功率达200W的功率放大器。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)氮化镓(GaN)HEMT是新一代的射频功率晶体管技术,与GaAs和Si基半导体技术相比。射频功率放大器地用于多种有线和无线应用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各种频段。

    射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态的电阻值相同,则表示射频功率放大器配置完成。相应的,本发明实施例还提供一种移动终端,如图4所示,该移动终端可以包括射频(rf,radiofrequency)电路401、包括有一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器402、输入单元403、显示单元404、传感器405、音频电路406、无线保真(wifi,wirelessfidelity)模块407、包括有一个或者一个以上处理的处理器408、以及电源409等部件。本领域技术人员可以理解,图4中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。其中:rf电路401可用于收发信息或通话过程中,信号的接收和发送,特别地,将基站的下行信息接收后,交由一个或者一个以上处理器408处理;另外,将涉及上行的数据发送给基站。通常,rf电路401包括但不限于天线、至少一个放大器、调谐器、一个或多个振荡器、用户身份模块(sim,subscriberidentitymodule)卡、收发信机、耦合器、低噪声放大器(lna,lownoiseamplifier)、双工器等。此外,rf电路401还可以通过无线通信与网络和其他设备通信。所述无线通信可以使用任一通信标准或协议。微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。山东高频射频功率放大器批发

放大器能把输入信号的电压或功率放大的装置,由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。湖南L波段射频功率放大器检测技术

    本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图;图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图;图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述,现有技术中,采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器。湖南L波段射频功率放大器检测技术

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