当射频功率放大器电路处于非负增益模式时,可控衰减电路处于无衰减状态,山东EMC射频功率放大器要多少钱,需要减少对射频功率传导的影响,在应用中需要将输入匹配电路和可控衰减电路隔离。当射频功率放大器电路处于负增益模式时,可控衰减电路处于衰减状态,一部分射频传导能量进入可控衰减电路变成热能消耗掉,另一部分射频传导能量进入功率放大器进行放大(在加强了负反馈的电路基础上,再放大衰减后的射频信号)。本申请实施例中的可控衰减电路处于衰减状态时,整个电路的衰减程度可达到-10db左右。可以理解为,比原来从rfin端进入电路的输入信号,已经衰减了10db。从整体电路的增益特性看,若原来的已经加强负反馈的放大器的增益是0db,那么现在功率放大器的增益就是-10db了。整个电路的负增益由三部分完成:(1)fet的偏置电路向降压降流切换;(2)射频功率放大器电路驱动级的反馈电路向反馈增强切换;(3)输入匹配中可控衰减电路的接地开关打开。其中(1)(2)同时满足时,从设计看整体电路增益低实现0db左右。再加入措施(3),电路可再多衰减10db左右。即满足负增益放大,山东EMC射频功率放大器要多少钱。图2a中的可控衰减电路的结构如图3所示,山东EMC射频功率放大器要多少钱,可控衰减电路包括:串联电感l和并联到地的电阻r和开关sw1。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。山东EMC射频功率放大器要多少钱
因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,对芯片面积占用小,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。湖北线性射频功率放大器经验丰富微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。
则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰减电路后,在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中,为保证有效的功率衰减,r2一般控制得较小,故对r0影响可以忽略。sw1关断时,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc,此时,可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并联,zeq的实部小于r0,为了使等效阻抗与输入阻抗尽可能的匹配,减少影响,需要zeq的虚部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的数值已知的情况下,根据等效阻抗zeq的表达式可以计算出xl,进而得到电感l1的电感值,其中,由于电感l1被集成在硅基芯片上,所以电感l的品质因数q值一般不大于5。为了进一步提高电路实用性,并提高射频耐压和静电保护能力,本申请实施例的进一步形式是将并联支路的r换成sw2(如图4所示),通过控制sw1和sw2的栅极的宽长比控制导通的寄生电阻和关断的寄生电容以及esd能力。换句话说,在做设计时控制sw1和sw2的栅极的宽长比w/l,可以获得期望的ron,其中:开关导通的电阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘号,μ是指电子迁移率,cox是指单位面积的栅氧化层电容,w/l是指cmos器件有效沟道长度的宽长比。
需要满足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情况下,可以计算得到r20和x20,进一步的,在第二电阻和开关的参数已知的情况下,可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配,因此,输入端的回波损耗可满足要求。其中,因为电感集成于硅基芯片上,所以,电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小,因此在非负增益模式下,可控衰减电路的频选特性不明显,频率响应带宽较宽。在负增益模式下,回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中,驱动放大电路102包括:第二电容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接,第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接,第二mos管的源级接地,第二电容的端连接第三mos管的栅级,第二电容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中,反馈电路103包括:第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1,其中:第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级,第四电容的第二端连接第四电阻的端,第四电阻的第二段连接第三电容的端。放大器能把输入信号的电压或功率放大的装置,由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。
将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。RF系统级封装(SiP)市场可分为一级和二级SiP封装:各种RF器件的一级封装,如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器(包括RDL、RSV和/或凸点步骤);在表面贴装(SMT)阶段进行的二级SiP封装,其中各种器件与无源器件一起组装在SiP基板上。2018年,射频前端模组SiP市场(包括一级和二级封装)总规模为33亿美元,预计2018~2023年期间的复合年均增长率(CAGR)将达到,市场规模到2023年将增长至53亿美元。预测2023年,PAMiDSiP组装预计将占RFSiP市场总营收的39%。2018年,晶圆级封装大约占RFSiP组装市场总量的9%。移动领域各种射频前端模组的SiP市场,包括:PAMiD(带集成双工器的功率放大器模块)、PAM(功率放大器模块)、RxDM(接收分集模块)、ASM(开关复用器、天线开关模块)、天线耦合器(多路复用器)、LMM(低噪声放大器-多路复用器模块)、MMMBPa(多模、多频带功率放大器)和毫米波前端模组。MEMS预测,到2023年,用于蜂窝和连接的射频前端SiP市场将分别占SiP市场总量的82%和18%。按蜂窝通信标准,支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模组将占到2023年RFSiP市场总量的28%。智能手机将贡献射频前端模组SiP组装市场的43%。随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求:大功率输出、高效率、高线性度、高频率.湖南制造射频功率放大器设计
微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。山东EMC射频功率放大器要多少钱
驱动放大电路和功率放大电路的电路结构一样,但二者对应的各个器件的尺寸差异很大。相比较而言,功率放大电路更加注重输出放大信号的效率,驱动放大电路更加注重放大信号的增益控制。射频功率放大器电路的高、中、低功率模式下,电路结构和dc偏置都需要进行切换,即,通过改变反馈电路中的开关、电压偏置电路中的栅极电压、电流偏置电路中的漏极电流、供电电压vcc,以及使能可控衰减电路,协作实现以上功率模式,以及实现非负增益模式和负增益模式。图2b是本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意图,如图2b所示,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路107、输入匹配电路101、驱动放大电路102、级间匹配电路103、功率放大电路105和输出匹配电路106,与驱动放大电路102跨接的反馈电路103;可控衰减电路107,用于根据终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;输入匹配电路101,用于使可控衰减电路和驱动放大电路之间阻抗匹配;驱动放大电路102,用于放大输入匹配电路输出的信号;反馈电路103,用于调节射频功率放大器电路的增益;级间匹配电路104,用于使驱动放大电路和功率放大电路之间阻抗匹配。山东EMC射频功率放大器要多少钱
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