当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时,第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此,在具体应用中,可以根据功率放大单元的二次谐波频率,选择相应电容值的电容c1以及相应电感值的电感l1,以实现谐振频率的匹配;和/或,选择相应电容值的第二电容c2以及相应电感值的第二电感l2,以实现谐振频率的匹配。在具体实施中,电容c1可以是片上可调节的可调电容,通过调节电容c1的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。相应地,第二电容c2也可以是片上可调节的可调电容,通过调节第二电容c2的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。在图1与图2中,子滤波电路的结构与第二子滤波电路的结构相同。可以理解的是,子滤波电路的结构也可以与第二子滤波电路的结构不同。例如,子滤波电路包括电容c1,陕西线性射频功率放大器报价,第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2。又如,子滤波电路包括电容c1以及电感l1,第二子滤波电路包括第二电容c2。在具体实施中,输入端匹配滤波电路还可以包括寄生电容,陕西线性射频功率放大器报价,寄生电容可以耦接在功率放大单元的输出端与功率放大单元的第二输出端之间。在具体实施中,输出端匹配滤波电路可以包括第三子滤波电路,陕西线性射频功率放大器报价。功率放大器线性化技术一一功率回退、前馈、反馈、预失真,出于射频 预失真结构简单、易于集成和实现等优点。陕西线性射频功率放大器报价
需要满足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情况下,可以计算得到r20和x20,进一步的,在第二电阻和开关的参数已知的情况下,可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配,因此,输入端的回波损耗可满足要求。其中,因为电感集成于硅基芯片上,所以,电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小,因此在非负增益模式下,可控衰减电路的频选特性不明显,频率响应带宽较宽。在负增益模式下,回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中,驱动放大电路102包括:第二电容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接,第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接,第二mos管的源级接地,第二电容的端连接第三mos管的栅级,第二电容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中,反馈电路103包括:第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1,其中:第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级,第四电容的第二端连接第四电阻的端,第四电阻的第二段连接第三电容的端。陕西超宽带射频功率放大器研发宽带放大器是指上限工作频率与下限工作频率之比甚大于1的放大电路。
计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。本方案在当移动终端切换射频频段启动射频功率放大器时,能够通过对射频功率放大器的状态检测,快速设置各个射频功率放大器从而提升射频的频段切换的速度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法的流程示意图;图2为本申请实施例提供的一种射频功率放大器检测电路的连接示意图;图3是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测装置的结构示意图;图4是本申请实施例提供的移动终端的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
4G/5G基础设施用RF半导体的市场规模将达到16亿美元,其中,MIMOPA年复合增长率将达到135%,射频前端模块的年复合增长率将达到119%。预计未来5~10年,GaN将成为3W及以上RF功率应用的主流技术。根据Yole预测,2017年,全球GaN射频市场规模约为,在3W以上(不含手机PA)的RF射频市场的渗透率超过20%。GaN在基站、雷达和航空应用中,正逐步取代LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长,GaN在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中,针对载波聚合和大规模输入输出(MIMO)等新技术,GaN将凭借其高效率和高宽带性能,相比现有的LDMOS处于更有利的位置。未来5~10年内,预计GaN将逐步取代LDMOS,并逐渐成为3W及以上RF功率应用的主流技术。而GaAs将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比,将确保其稳定的市场份额。LDMOS的市场份额则会逐步下降,预测期内将降至整体市场规模的15%左右。到2023年,GaNRF器件市场规模达到13亿美元,约占3W以上的RF功率市场的45%。截止2018年底,整个RFGaN市场规模接近。未来大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件,无线基础设施应用占比将进一步提高至近43%。RFGaN市场的发展方向GaN技术主要以IDM为主。发射机的前级电路中调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,必须必采用高增益大功率射频功率放大器。
下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的结构示意图;图2是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路的电路原理图;图3是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的电路原理图;图4是本申请实施例提供的自适应动态偏置电路提供的偏置电压与输出功率的曲线示意图;图5是现有的射频高功率放大器与本申请实施例提供的高线性射频放大器的imd3曲线图。具体实施方式下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。由于微波固态功率放大器输出功率较大,很小的功率泄漏都会对周围电路的 工作产生较大影响。天津线性射频功率放大器检测技术
微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。陕西线性射频功率放大器报价
AB类放大器可以确保其谐波/失真性能足够满足EMC领域的需求,也就是它的线性度能满足商业电磁兼容测试标准IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB类放大器为了线性度与B类放大器相比了一点效率,但相比A类放大器则具有高效率(理论上可达60%到65%)。AB类放大器的优点:与A类放大器相比,功率效率提高。AB类放大器的设计可以使用比A类更少的器件,对于相同的功率等级和频率范围,体积更小,价格更便宜。使用风冷,比A类放大器的冷却器要轻。AB类放大器的缺点:产生的谐波需要注意具体产品给出的指标,尤其是二次谐波,AB类放大器可以通过仔细调整偏置的设置和采用推挽拓补结构将谐波明显抑制。C类放大器C类放大器的晶体管偏置设置使得器件在小于输入信号的半个周期内导通,在没有输入信号时不消耗电源电流,因此效率很高,可高达90%左右。C类放大器在通常的商业EMC测试中很少使用,因为它们不能对连续波进行放大。它们在窄带、脉冲应用中得到了应用,比如汽车电子ISO11452-2中的雷达波测试,DO-160以及MIL-464中的HIRF高脉冲场强测试等。C类放大器的工作原理图如图6所示。图6:C类放大器的工作原理图C类放大器相当于工作在饱和状态而不是线性区,也就是输入如果是正弦信号。陕西线性射频功率放大器报价
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