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30-500MHz射频功率放大器哪家好 能讯通信科技供应

上传时间:2022-04-29 浏览次数:
文章摘要:    射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态,由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器

    射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态,由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302,用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,移动终端进行频段切换时,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。其中,计算单元还包括计算电阻和处理器,计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接,计算电阻另一端与电源电压连接;处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器检测模块连接,30-500MHz射频功率放大器哪家好。(3)比较单元303比较单元303,用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如,将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较,30-500MHz射频功率放大器哪家好,可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端频段切换时的射频功率放大器的电阻值。其中,射频功率放大器检测模块与配置状态的电阻值不相同,则表示射频功率放大器还没有开启,30-500MHz射频功率放大器哪家好,移动终端开启此射频功率放大器。为减小 AM—AM失真,应降低工作点,常称为增益回退。30-500MHz射频功率放大器哪家好

    因为栅长l固定,因此可以通过设计栅宽w得到寄生电阻大小为ron的mos管。寄生电容coff=fom/ron,fom为半导体工艺商提供的参数,单位为fs(飞秒),在寄生电阻ron确定后,可确定寄生电容coff的大小,如此,即可确定可控衰减电路中开关的相关参数。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻、备用电阻rn、电感、开关和备用开关tn,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与备用开关的源级连接,开关的源级接地,备用开关的栅级连接备用电阻的端,备用电阻的第二端连接电压信号,备用开关的漏级连接电感的端,电感的第二端连接输入信号;其中,开关和备用开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。其中,为进一步提高耐压能力和静电保护能力,可采用如图9所示的可控衰减电路,将第二电阻替换成备用开关和备用电阻。坪山区高频射频功率放大器射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。

    vgs是指栅源电压,vth是指阈值电压。开关关断的寄生电容:coff=fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积,单位为fs(飞秒)。另,w/l较大,发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加,相对单sw,能在esd大电流下保护sw的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计,两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的:(1)非负增益模式下,sw1和sw2同时关断;(2)负增益模式下,sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5a所示,图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路,可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置,这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围,输出功率才能实现所需的效率,增益等性能。可控衰减电路的并联到地支路的sw1和r1,在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下,这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁,输入端口匹配良好,因此输入端的回波损耗好。

    微处理器通过控制vgg=,使得开关导通,可控衰减电路处于衰减状态,此时,一部分射频传导功率进入可控衰减电路变成热能消耗掉,另一部分射频传导功率进入可控衰减电路之后的电路,输入信号衰减,射频功率放大器电路实现非负增益模式。当开关关断时,电感用于匹配寄生电容,以减少对后级电路的影响,开关可等效为寄生电容coff,不需要考虑电阻,可控衰减电路等效为图8(a);当开关导通时,开关等效为寄生电阻ron,也不需要考虑电阻,可控衰减电路等效为图8(b),因为第二电阻和寄生电阻ron都很小,因此流入可控衰减电路的电流较大,该电路路消耗的功率较多,对输入信号的衰减作用也较强。其中,为了实现大程度的衰减,在非负增益模式下,应使可控衰减电路的电阻尽可能的小,可在可控衰减电路去掉第二电阻r2,通过寄生电阻ron来衰减输入信号。若可控衰减电路中没有第二电阻,当射频功率放大器电路的负增益大小确定时,开关的寄生电阻的大小也可确定。当开关导通时,开关工作在线性区,寄生电阻ron的大小满足公式:ron=1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth)),其中,μ是电子迁移率,cox是单位面积的栅氧化层电容,w/l是开关t1的有效沟道长度的宽长比,vgs是栅源电压,vth是阈值电压。噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值,单位常用“dB'’。

    需要满足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情况下,可以计算得到r20和x20,进一步的,在第二电阻和开关的参数已知的情况下,可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配,因此,输入端的回波损耗可满足要求。其中,因为电感集成于硅基芯片上,所以,电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小,因此在非负增益模式下,可控衰减电路的频选特性不明显,频率响应带宽较宽。在负增益模式下,回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中,驱动放大电路102包括:第二电容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接,第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接,第二mos管的源级接地,第二电容的端连接第三mos管的栅级,第二电容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中,反馈电路103包括:第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1,其中:第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级,第四电容的第二端连接第四电阻的端,第四电阻的第二段连接第三电容的端。丙类状态:在信号周期内存在工作电流的时间不到半个周期即导通角0 小于18度,丙类功放的优点是效率非常高。光明区C波段射频功率放大器

由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。30-500MHz射频功率放大器哪家好

    在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p,功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理,功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号,功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定,且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中,差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的,对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术,本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中,初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接,输入经过放大的差分信号;初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接,输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中,次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。30-500MHz射频功率放大器哪家好

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