令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知,本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定,计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2,以四个射频功率放大器并联为例,计算电阻201的一端与电源电压vdd相连,计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连,射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连,计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中,在本申请实施例中,射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2,浙江U段射频功率放大器研发、r3和r4,射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前,设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的,浙江U段射频功率放大器研发,即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时,需要开启射频功率放大器211,则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启,射频功率放大器212,浙江U段射频功率放大器研发、213和214保持关闭。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。浙江U段射频功率放大器研发
宽带性能一致性差,谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa,采用变压器及其输入输出匹配电容,输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。在本发明实施例中,通过增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本发明实施例提供了一种射频功率放大器,参照图1。在本发明实施例中,射频功率放大器可以包括:功率放大单元(powercell)、功率合成变压器以及匹配滤波电路。在具体实施率放大单元可以包括两个输入端以及两个输出端。大功率射频功率放大器经验丰富射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。
nmos管mn07的漏极和nmos管mn08的漏极分别连接第三变压器t03的原边。在第二主体电路率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。如图3所示,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极为功率放大器的输入端,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏极和nmos管mn16的漏极分别连接第四变压器t04的原边。nmos管mn05的源极、nmos管mn06的源极接地,nmos管mn13的源极、nmos管mn14的源极接地。nmos管mn07的栅极和nmos管mn08的栅极通过电容c06和电感l02接地,nmos管mn15的栅极和nmos管mn16的栅极通过电容c13和电感l05接地。第三变压器t02原边的中端通过电感l03接电源电压vdd,第三变压器t02原边的中端还连接接地电容c08。第四变压器t04原边的中端通过电感l06接电源电压vdd,第四变压器t04原边的中端还连接接地电容c15。本申请实施例提供的高线性射频功率放大器,通过自适应动态偏置电路和两个主体电路,不提高了射频功率放大器的线性度,还提高了射频功率放大器的输出功率。图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图。
氮化镓集更高功率、更高效率和更宽带宽的特性于一身,能够实现比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度,击穿电压达300伏,可工作在更高的工作电压,简化了设计宽带高功率放大器的难度。目前氮化镓(GaN)HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右,已经开始普遍应用在EMC领域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射频微波功率放大器的分类放大器有不同种的分类方法,习惯上基于放大器件在一个完整的信号摆动周期中工作的时间量,也就是导电角的不同进行分类,通过对放大器件配置不同的偏置条件,就可以使放大器工作在不同的状态。在EMC领域,固态放大器中常用到的偏置方法是A类,AB类和C类。A类放大器A类放大器的有源器件在输入正弦信号的整个周期内都导通,普遍认为,A类和线性放大器是同义词,输出信号是对输入信号的线性放大,在无线通信应用领域必须要考虑到针对复杂调制信号时的情况。在EMC应用领域,输入信号相对简单,放大器必须工作在功率压缩阈值的情况下。A类放大器是EMC领域常用的功率放大器,其工作原理图如图4所示。图4:A类放大器的工作原理图不管是否有射频输入信号存在,A类放大器的偏置设置使得晶体管的静态工作点位于器件电流的中心位置。线性:由非线性分析知道,功率放大器的三阶交调系数时与负载有关的。
gr为基站的接收机天线增益,单位为分贝;rs为接收机灵敏度,是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio,snr)情况下,系统能探测到的小的射频信号。rs的计算可以参见公式(3):rs=-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3);其中,-174dbm/hz为热噪声底限;nf为全部接收机噪声,单位为分贝;b为接收机整体带宽,snrmin则为小信噪比。一般来说,射频功率放大器电路存在高功率模式(非负增益),率模式(非负增益)和低功率模式(负增益)这三种模式。由于射频收发器的线性功率输出范围为-35dbm~0dbm,因此,若超出这一范围,信号将产生非线性。当射频功率放大器电路工作在高功率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为,此时信号将产生非线性,其功率需要小于,此时射频功率放大器电路的线性增益为30db,因此,其线性输出功率范围为:-5dbm~。当射频功率放大器电路工作在率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为20dbm,此时信号将产生非线性,其功率需要小于10dbm才能实现线性输出,此时射频功率放大器电路的线性增益为15db,因此,其线性输出功率范围为:-20dbm~10dbm。当射频功率放大器电路工作在低功率模式(负增益)时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为5dbm。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。广西V段射频功率放大器哪里卖
功率放大器在无线通信系统中是一个不可缺少的重要组成部分通信体制的发展功率放大器进入了快速发展的阶段。浙江U段射频功率放大器研发
较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗,需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗,进而产生额外的阻抗变换),这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位,也会降低能量传输效率。在本发明实施例中,增加辅次级线圈,可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。本发明实施例还提供了一种通信设备,包括上述任一实施例所提供的射频功率放大器。通信设备中还可以存在其他模块,例如基带芯片、天线电路等,上述的其他模块均可以采用现有技术中已有的模块,本发明实施例不做赘述。虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。浙江U段射频功率放大器研发
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