江苏射频功率放大器研发 能讯通信科技供应

    P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685APAP129431/3219/22145/215APAP10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估计大部分国内的读者没有用过RFIC的芯片，笔者也只是看到一些国外的产品在用。没有Datasheet，也没有BriefIntroduction，只能从官网上了解到部分数据，其中EPM2428是**高的型号，其典型参数为：64QAM情况下可达28dBm@EVM=3%11b情况下可达32dBm，满足频谱模板效率可达20%@28dBm增益可达34dB片上输入/输出匹配RFMDRFMD（与TriQuint合并以后称为Qorvo，但笔者还是喜欢称之为RFMD，Qrovo实在是太拗口了）作为一家老牌的射频器件厂商，相信有些读者比我更了解，但笔者还是决定对RFMD做个简单介绍；RFMicroDevices公司（简称RFMD）是全球的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计和制造商。RFMD的产品可用于蜂窝手机，无线基础设施，无线局域网络（WLAN），江苏射频功率放大器研发，CATV/宽频及航空航天和**市场，江苏射频功率放大器研发，提供增强的连接性，并支持先进的功能，江苏射频功率放大器研发。RFMD凭借其多样化的半导体技术以及RF系统专业技能，成为世界的移动设备，客户端和通讯设备制造商的优先供应商。微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。江苏射频功率放大器研发

    在这些年的WiFi产品开发中，接触了多种型号的射频功率放大器（以下简称PA），本文对WiFi产品中常用的射频功率放大器做个汇总，供读者参考。本文中部分器件型号是FrontendModule，即包含内PA，LNA，Switch，按不同厂牌对PA进行介绍，按照厂牌字母顺序进行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先开创制造高容量、低成本、高性能的砷化镓集成电路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信产品供应商。ANADIGICS为不断发展的无线宽带与无线通信市场，设计、制造射频集成电路（RFIC）解决方案。公司创新的高频率RFIC，能使通信设备制造商提高整体系统性能、减少产品的体积及重量、提高电源效率、提高稳定性、并降造成本及制程时间。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*给出ANADIGICS的**高规格WiFiPAAWL6153的性能指标，如下图。Avago这是一家从Agilent（现拆分为Agilent+Keysight）中分离出来的半导体公司，拥有50年的技术创新传统。多年来。自动化射频功率放大器射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。

    其中：串联电感l用于匹配并联到地支路中的sw1在关闭状态的寄生电容，减少对后级驱动放大电路的输入匹配电路的影响。在负增益模式下，sw1处在导通状态，电阻r主要承担对射频输入功率分流后的衰减，sw1主要负责射频输入支路端与接地端(gnd)的导通。若系统要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身导通时寄生的电阻吸收和衰减射频功率。这里的开关可以用各种半导体工艺实现，如互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二极管等，其中，pin表示：在p和n半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(intrinsic)半导体层，组成的这种p-i-n结构的二极管就是pin二极管。需要说明的是，r所在的可控衰减电路与后级的功率放大电路的关系是并联关系。并联关系在于电压相同时，r越小，可控衰减电路分得电流越大，得到的功率越多。故r越小，进入可控衰减电路的功率越多，相应的进入后级功率放大电路的功率就越少，衰减就越大。所以，为了实现大幅度的衰减，r有时需要省略，依靠sw自身的导通电阻ron。其中，串联电感l1的通过以下方法得到：在未加入可控衰减电路时，若输入匹配电路101对应的阻抗为：z0＝r0+jx0。

    功率放大电路105，用于放大级间匹配电路输出的信号；输出匹配电路106，用于使射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。其中，射频功率放大器电路应用于终端中，可以根据终端与基站的距离选取对应的模式。当终端与基站的距离较近时，路径损耗较小，终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较小，射频功率放大器电路此时处于负增益模式下，输入信号进行一定程度的衰减，可得到输出功率较小的输出信号；当终端与基站的距离较远时，路径损耗较大，终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较大，射频功率放大器电路此时处于非负增益模式下，对输入信号进行一定程度的放大，可得到输出功率较大的输出信号。在一个可能的示例中，模式控制信号包括控制信号和第二控制信号，其中：控制信号表征将射频功率放大器电路切换为非负增益模式时，可控衰减电路，用于响应控制信号，控制自身处于无衰减状态；第二控制信号表征将射频功率放大器电路切换为负增益模式时，可控衰减电路，用于响应第二控制信号，控制自身处于衰减状态。其中，当可控衰减电路处于无衰减状态时，可控衰减电路不工作；当可控衰减电路处于衰减状态时，可控衰减电路工作。微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。

    令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio为处理器引脚的电压值，vdd为电源电压，r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知，本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定，计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2，以四个射频功率放大器并联为例，计算电阻201的一端与电源电压vdd相连，计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连，射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连，计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中，在本申请实施例中，射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2、r3和r4，射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前，设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的，即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时，需要开启射频功率放大器211，则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启，射频功率放大器212、213和214保持关闭。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移动电话基站、雷达，应用于 无线电广播传输器以及微波雷达与导航系统。上海分散射频功率放大器

随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求：大功率输出、高效率、高线性度、高频率.江苏射频功率放大器研发

    nmos管mn14和nmos管mn16构成一个共源共栅放大器。在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端，功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端。如图3所示，nmos管mn05的栅极通过电阻r03连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa，nmos管mn06的栅极通过电阻r04连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa；nmos管mn13的栅极通过电阻r08连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa，nmos管mn14的栅极通过电阻r09连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa。如图3所示，nmos管mn07的栅极通过电阻r05连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa，nmos管mn08的栅极通过电阻r05连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa；nmos管mn15的栅极通过电阻r10连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa，nmos管mn16的栅极通过电阻r10连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa。在主体电路率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏极连接第三变压器的原边。如图3所示，nmos管mn05的栅极、nmos管mn06的栅极为功率放大器的输入端，nmos管mn05的栅极、nmos管mn06的栅极与激励放大器的输出端连接。江苏射频功率放大器研发

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