能够快速设置各个射频功率放大器。本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值;计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值;比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。可选的,在本申请的一些实施例中,所述预设射频功率放大器的配置状态电阻值,包括:所述配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值;所述射频功率放大器设置匹配电阻;所述关闭状态的电阻值为所述射频功率放大器的电阻值;所述开启状态的电阻值为所述匹配电阻的电阻值,陕西U段射频功率放大器检测技术。可选的,在本申请的一些实施例中,所述计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,陕西U段射频功率放大器检测技术,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。可选的,陕西U段射频功率放大器检测技术,在本申请的一些实施例中,所述匹配电阻包括:不同的射频功率放大器设置不同的匹配电阻。微波固态功率放大器的工作频率高或微带电 路对器件结构元器件装配电路板布线腔体螺钉位置等都 有严格要求。陕西U段射频功率放大器检测技术
RF)微波和毫米波应用,设计和开发高性能集成电路、模块和子系统。这些应用包括蜂窝、光纤和卫星通信,以及医学及科学成像、工业仪表、航空航天和防务电子。凭借近30年的经验和创新实践,Hittite在模拟、数字和混合信号半导体技术领域有着深厚的积淀,从器件级到完整子系统的设计和装配,覆盖面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.(ADI)收购合并。但笔者还是更喜欢Hittite作为射频微波器件的名称,所以暂不更改称呼^_^。笔者本人并没用用过Hittite的WiFiPA,倒是用过其他频段GainBlock和PA,查找其官方网站,似乎也只有一款PA适用于WiFi行业,HMC408,其性能如下。MicrochipMicrochip(2010年收购了SST)是全球的单片机和模拟半导体供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。Mircrochip的WiFiPA常见于Mediatek(Ralink)的参考设计。重庆有什么射频功率放大器制定随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求:大功率输出、高效率、高线性度、高频率.
本申请涉及射频处理技术领域,具体涉及一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。背景技术:通话是移动终端的为基本的功能之一,射频功率放大器(rfpa)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大(缓冲级、中间放大级、末级功率放大级)获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后,射频已调信号就由射频放大器将它放大到足够功率,经匹配网络,再由天线发射出去。由于现有技术中的所支持的射频频段众多,每个频段所使用的射频功率放大器配置可能有所差异,虽然由移动终端的软件写入了相关的配置指令,由于指令发出总是存在先后关系,在现有技术中往往需要在配置频段时在所有射频功率放大器启动指令发出后再延迟一个时间(例如)认为已经配置完成,再进行下一步操作。例如,在第,此时需要向4个依次射频功率放大器发出启动指令,然后等待,开始下一步操作,但其实这个,很可能在。因此,现有技术存在缺陷,有待改进与发展。技术实现要素:本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法。
图3中的自适应动态偏置电路的电路结构如图2所示。射频输入端rfin和射频输出端rfout之间设置有两个主体电路,每个主体电路包括激励放大器和功率放大器,激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接。主体电路中的c04和c05构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络;第二主体电路中的c11和c12构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络。主体电路中的激励放大器与变压器t01的副边连接,第二主体电路中的激励放大器与第二变压器t03的副边连接。变压器t01的原边和第二变压器t03的原边连接,变压器t01的原边与第二变压器t02的原边之间还连接有电容c01。变压器t01、第二变压器t02和电容c01构成一个匹配网络。变压器t01的副边连接有电容c02,第二变压器t03的副边连接有电容c09。变压器t01的原边连接射频输入端rfin,第二变压器t03的原边接地。变压器t01原边与第二变压器t03原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端rfin_h。主体电路中的功率放大器与第三变压器t02的原边连接,第二主体电路中的功率放大器与第四变压器t04的原边连接。第三变压器t02的副边与第四变压器t04的副边连接,第三变压器t02副边和第四变压器t04副边之间还连接有电容c16。射频放大器的稳定性问题非常重要,是保证设备安全可靠运行的必要条件。
4G/5G基础设施用RF半导体的市场规模将达到16亿美元,其中,MIMOPA年复合增长率将达到135%,射频前端模块的年复合增长率将达到119%。预计未来5~10年,GaN将成为3W及以上RF功率应用的主流技术。根据Yole预测,2017年,全球GaN射频市场规模约为,在3W以上(不含手机PA)的RF射频市场的渗透率超过20%。GaN在基站、雷达和航空应用中,正逐步取代LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长,GaN在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中,针对载波聚合和大规模输入输出(MIMO)等新技术,GaN将凭借其高效率和高宽带性能,相比现有的LDMOS处于更有利的位置。未来5~10年内,预计GaN将逐步取代LDMOS,并逐渐成为3W及以上RF功率应用的主流技术。而GaAs将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比,将确保其稳定的市场份额。LDMOS的市场份额则会逐步下降,预测期内将降至整体市场规模的15%左右。到2023年,GaNRF器件市场规模达到13亿美元,约占3W以上的RF功率市场的45%。截止2018年底,整个RFGaN市场规模接近。未来大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件,无线基础设施应用占比将进一步提高至近43%。RFGaN市场的发展方向GaN技术主要以IDM为主。功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。上海L波段射频功率放大器
谐波抑制,功率放大器的非线性特性使输出包含基波信号同时在各项谐波幅度大小与信号大小呈一定的比例关系。陕西U段射频功率放大器检测技术
较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗,需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗,进而产生额外的阻抗变换),这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位,也会降低能量传输效率。在本发明实施例中,增加辅次级线圈,可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。本发明实施例还提供了一种通信设备,包括上述任一实施例所提供的射频功率放大器。通信设备中还可以存在其他模块,例如基带芯片、天线电路等,上述的其他模块均可以采用现有技术中已有的模块,本发明实施例不做赘述。虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。陕西U段射频功率放大器检测技术
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