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安徽分散射频功率放大器 能讯通信科技供应

上传时间:2021-12-30 浏览次数:
文章摘要:    所述不同的匹配电阻的电阻值不相等。可选的,在本申请的一些实施例中,所述射频功率放大器的输出端连接所述射频功率放大器检测模块。相应的,本申请实施例还提供了一种移动终端射频功率放大器检测

    所述不同的匹配电阻的电阻值不相等。可选的,在本申请的一些实施例中,所述射频功率放大器的输出端连接所述射频功率放大器检测模块。相应的,本申请实施例还提供了一种移动终端射频功率放大器检测装置,包括:预设单元,用于预设射频功率放大器的配置状态电阻值;计算单元,用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值;比较单元,用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。可选的,在本申请的一些实施例中,所述计算单元包括:计算电阻,所述计算电阻一端与所述射频功率放大器检测模块连接,所述计算电阻另一端与电源电压连接;处理器,所述处理器的引脚与所述计算电阻、所述射频功率放大器检测模块连接。此外,本申请实施例还提供了一种移动终端,安徽分散射频功率放大器,包括:存储器,用于存储射频功率放大器的初始状态电阻值,配置状态电阻值以及射频功率放大器检测模块的电阻值;处理器,用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。可选的,在本申请的一些实施例中,所述移动终端包括上述的移动终端射频功率放大器检测装置,安徽分散射频功率放大器,安徽分散射频功率放大器。本申请实施例提供了一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值。微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量,输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。安徽分散射频功率放大器

    pmos管的漏极通过电阻接自适应动态偏置电路的第二输出端,第二输出端用于为功率放大器栅放大器的栅极提供偏置电压。可选的,射频输入端和射频输出端之间设置有两个主体电路,每个主体电路包括激励放大器和功率放大器,激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接;主体电路中的激励放大器与变压器的副边连接,第二主体电路中的激励放大器与第二变压器的副边连接,变压器的原边与第二变压器的原边连接,变压器的原边连接射频输入端,第二变压器的原边接地;变压器原边与第二变压器原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端;主体电路中的功率放大器与第三变压器的原边连接,第二主体电路中的功率放大器与第四变压器的原边连接,第三变压器的副边与第四变压器的副边连接,第三变压器的副边连接射频输出端,第四变压器的副边接地。可选的,每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器;在主体电路,激励放大器源放大器的栅极与变压器的副边连接,激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接;在第二主体电路,激励放大器源放大器的栅极与第二变压器的副边连接,激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。可选的。浙江现代化射频功率放大器检测技术射频放大器的稳定性问题非常重要,是保证设备安全可靠运行的必要条件。

    即射频功率放大器的配置状态电阻值为射频功率放大器211的电阻值是r11,射频功率放大器212、213和214的电阻值仍是r2、r3和r4。计算射频功率放大器检测模块的电阻值,如果射频功率放大器211的射频功率放大器检测模块的电阻值是r11,与配置状态电阻值相同,则表示射频功率放大器211已经开启;如果射频功率放大器211的射频功率放大器检测模块的电阻值是r1,与配置状态电阻值不相同,则表示射频功率放大器211未开启,移动终端开启射频功率放大器211。计算的各个射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态电阻值均相同时,则射频功率放大器已经配置完成。其中,频段切换前,射频功率放大器的初始状态包括开启状态和关闭状态,包括两种情况:全部是关闭状态或者部分关闭,部分开启。频段切换时,移动终端会对所有射频功率放大器发出配置指令,射频功率放大器检测模块的电阻值与本次指令要求的电阻值未有变化,则不作操作,否则按当前指令的电阻值进行射频功率放大器的相关配置。103、比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如,射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端切换频段时,此时射频功率放大器的电阻值。

    比如r53=5kω、r51=1kω、r52=100ω。具体的反馈电路中,每组的电阻两旁各用一个电容,原因是开关两端在具体电路中需要为零的dc电压偏置,故用电容先做隔直处理。反馈电路的反馈深度越大,驱动放大电路增益越低,所用的切换电阻需要越小。这里,反馈电路的切换逻辑如下:高增益模式:开关k51和k52均关断;低增益模式:开关k51接通,k52关断;负增益模式:开关k51和k52均接通。假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a,反馈电路的反馈系数为f,则加入反馈电路后射频功率放大器电路的放大系数af=a/(1+af),随着反馈电路中等效电阻阻值的降低,反馈系数f变大,反馈深度增加,放大系数af变小,即能实现负反馈电路部分增益的降低。参见图7,t2的漏极(drain)电流偏置电路由内部电流源ib、t6、r6、r7和c12按照图7所示连接而成。t2和t6的宽长比参数w/l成比例关系a(a远大于1),可以使t2的漏极偏置电流近似为a倍的ib。r6、r7和c12组成的t型网络,起到隔离rfin端射频信号的作用。在实际模拟电路中设计电流源,可将ib电流分成多个档位,通过数字寄存器控制切换ib档位,达到t2漏极电流切换的效果。t3的栅极。由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。

    令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知,本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定,计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2,以四个射频功率放大器并联为例,计算电阻201的一端与电源电压vdd相连,计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连,射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连,计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中,在本申请实施例中,射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2、r3和r4,射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前,设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的,即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时,需要开启射频功率放大器211,则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启,射频功率放大器212、213和214保持关闭。输出匹配电路主要应具备损耗低,谐波抑制度高,改善驻波比,提高输出功 率及改善非线性等功能。浙江高频射频功率放大器

输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。安徽分散射频功率放大器

被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中,目前射频功率放大器绝大部分采用GaAs材料。在GSM通信中,国内的紫光展锐和汉天下等芯片设计企业曾凭借RFCMOS制程的高集成度和低成本的优势,打破了采用国际厂商采用传统的GaAs制程完全主导射频功放的格局。但是到了4G时代,由于Si材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等缺点,RFCMOS已经不能满足要求,手机射频功放重新回到GaAs制程完全主导的时代。与射频功放器件依赖于GaAs材料不同,90%的射频开关已经从传统的GaAs工艺转向了SOI(Silicononinsulator)工艺,射频收发机大多数也已采用RFCMOS制程,从而满足不断提高的集成度需求。5G时代,GaN材料适用于基站端。在宏基站应用中,GaN材料凭借高频、高输出功率的优势,正在逐渐取代SiLDMOS;在微基站中,未来一段时间内仍然以GaAsPA件为主,因其目前具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势,但随着器件成本的降低和技术的提高,GaNPA有望在微基站应用在分得一杯羹;在移动终端中,因高成本和高供电电压,GaNPA短期内也无法撼动GaAsPA的统治地位。全球GaAs射频器件被国际巨头垄断。全球GaAs射频器件市场以IDM模式为主。安徽分散射频功率放大器

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