辽宁高频射频功率放大器检测技术 能讯通信科技供应

    当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时，第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此，在具体应用中，可以根据功率放大单元的二次谐波频率，辽宁高频射频功率放大器检测技术，选择相应电容值的电容c1以及相应电感值的电感l1，以实现谐振频率的匹配；和/或，选择相应电容值的第二电容c2以及相应电感值的第二电感l2，以实现谐振频率的匹配。在具体实施中，电容c1可以是片上可调节的可调电容，通过调节电容c1的电容值，能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。相应地，第二电容c2也可以是片上可调节的可调电容，通过调节第二电容c2的电容值，能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。在图1与图2中，子滤波电路的结构与第二子滤波电路的结构相同。可以理解的是，子滤波电路的结构也可以与第二子滤波电路的结构不同，辽宁高频射频功率放大器检测技术。例如，子滤波电路包括电容c1，第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2。又如，子滤波电路包括电容c1以及电感l1，第二子滤波电路包括第二电容c2。在具体实施中，输入端匹配滤波电路还可以包括寄生电容，辽宁高频射频功率放大器检测技术，寄生电容可以耦接在功率放大单元的输出端与功率放大单元的第二输出端之间。在具体实施中，输出端匹配滤波电路可以包括第三子滤波电路。输出匹配电路主要应具备损耗低，谐波抑制度高，改善驻波比，提高输出功 率及改善非线性等功能。辽宁高频射频功率放大器检测技术

    射频功率放大器电路，用于根据微控制器的控制，对射频收发器的输出信号进行放大或衰减；天线，用于发射射频功率放大器电路的输出信号。由于终端(如水电表)分布范围广，每个终端距离基站的距离各不相同，距离基站远的终端，其信道衰减量大，因此需要射频功率放大器电路的输出功率大；而距离基站近的终端，其信道衰减量小，因此需要射频功率放大器电路的输出功率小。微控制器通过控制射频功率放大器电路的输入功率和增益，从而控制其输出功率，使其输出功率满足要求。例如，基站使用预先确定的通信资源发送同步信号(synchronizationchannel，sch)和广播信号(broadcastchannel，bch)。然后，终端首先捕捉sch，从而确保与基站之间的同步。然后，终端通过读取bch而获取基站特定的参数(如频率、带宽等)。终端在获取到基站特定的参数之后，通过对基站进行连接请求，建立与基站的通信。基站根据需要对建立了通信的终端通过物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道发送控制信息。终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后，控制输出功率，使其满足要求。基站在与终端的通信过程中，根据路径损耗(pathloss，pl)确定链路预算(linkbudget，lb)。天津定制开发射频功率放大器设计随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求：大功率输出、高效率、高线性度、高频率.

    第三变压器t02、第四变压器t04和电容c16构成一个匹配网络。第三变压器t02的原边连接有电容c07，第四变压器t04的原边连接有电容c14。第三变压器t02的副边连接射频输出端rfout，第四变压器t04的副边接地。每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示，主体电路的激励放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03构成一个共源共栅放大器，nmos管mn02和nmos管mn04构成一个共源共栅放大器；第二主体电路的激励放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11构成一个共源共栅放大器，nmos管mn10和nmos管mn12构成一个共源共栅放大器。在主体电路中，激励放大器源放大器的栅极与变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示，nmos管mn01的栅极和nmos管mn02的栅极分别与变压器t01的副边连接，nmos管mn03的漏极连接电容c04，nmos管mn04的漏极连接电容c05。nmos管mn03的漏极和nmos管mn04的漏极为主体电路中激励放大器的输出端。在第二主体电路中，激励放大器中源放大器的栅极与第二变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示，nmos管mn09的栅极和nmos管mn10的栅极分别与变压器t01的副边连接。

    LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化，这种主要特性因此允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。由于以上这些特点，LDMOS特别适用于UHF和较低的频率，晶体管的源极与衬底底部相连并直接接地，消除了产生负反馈和降低增益的键合线的电感的影响，因此是一个非常稳定的放大器。LDMOS具有的高击穿电压和与其它器件相比的较低的成本使得LDMOS成为在900MHz和2GHz的高功率基站发射机中的优先。LDMOS晶体管也被应用于在80MHz到1GHz的频率范围内的许多EMC功率放大器中。在GHz输出功率超过100W的LDMOS器件已经存在，半导体制造商正在开发频率范围更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化镓金属半导体场效应晶体管（GaAsMESFET）砷化镓（galliumarsenide），化学式GaAs，是一种重要的半导体材料。属于Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，具有高电子迁移率(是硅的5到6倍)，宽的禁带宽度（硅是），噪声低等特点，GaAs比同样的Si元件更适合工作在高频高功率的场合。在所有微波发射系统中，都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平，以实现信号的发射。

    需要满足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情况下，可以计算得到r20和x20，进一步的，在第二电阻和开关的参数已知的情况下，可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配，因此，输入端的回波损耗可满足要求。其中，因为电感集成于硅基芯片上，所以，电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小，因此在非负增益模式下，可控衰减电路的频选特性不明显，频率响应带宽较宽。在负增益模式下，回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中，驱动放大电路102包括：第二电容c2、第二mos管t2和第三mos管t3，其中：第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接，第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接，第二mos管的源级接地，第二电容的端连接第三mos管的栅级，第二电容的第二端接地。其中，第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中，反馈电路103包括：第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1，其中：第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级，第四电容的第二端连接第四电阻的端，第四电阻的第二段连接第三电容的端。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。安徽定制开发射频功率放大器批发

对于AM．AM失真，它与晶体管是否工作于饱和区密切相关。为减小 AM—AM失真，应降低工作点，常称为增益回退。辽宁高频射频功率放大器检测技术

    驱动放大电路和功率放大电路的电路结构一样，但二者对应的各个器件的尺寸差异很大。相比较而言，功率放大电路更加注重输出放大信号的效率，驱动放大电路更加注重放大信号的增益控制。射频功率放大器电路的高、中、低功率模式下，电路结构和dc偏置都需要进行切换，即，通过改变反馈电路中的开关、电压偏置电路中的栅极电压、电流偏置电路中的漏极电流、供电电压vcc，以及使能可控衰减电路，协作实现以上功率模式，以及实现非负增益模式和负增益模式。图2b是本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意图，如图2b所示，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路107、输入匹配电路101、驱动放大电路102、级间匹配电路103、功率放大电路105和输出匹配电路106，与驱动放大电路102跨接的反馈电路103；可控衰减电路107，用于根据终端中微处理器发送的模式控制信号，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换；输入匹配电路101，用于使可控衰减电路和驱动放大电路之间阻抗匹配；驱动放大电路102，用于放大输入匹配电路输出的信号；反馈电路103，用于调节射频功率放大器电路的增益；级间匹配电路104，用于使驱动放大电路和功率放大电路之间阻抗匹配。辽宁高频射频功率放大器检测技术

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