本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器及通信设备。背景技术:在无线通信中,用户设备需要支持的工作频段很多。尤其是第四代蜂窝移动通信(lte)中,用户设备需要支持40多个工作频带(band)。而宽带功率放大器(poweramplifier,pa)的性能会随着工作频率变化,难以实现很宽的功率频率范围。lte工作频率一般分为低频段(lb,663mhz~915mhz),中频段(mb,1710mhz~2025mhz),高频段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射频前端也包含lb、mb、hb三个pa,每个功率放大器支持一个频段,需要三个宽带pa。尤其是lb的相对频率带宽,pa很难在整个频段内实现高线性和高效率,在设计的过程中会存在线性度和效率和折中处理,同时频段内的不同频点的性能也不同。无线通信对发射频谱的杂散有严格的要求。当pa后连接的滤波器对谐波抑制较少因此要求pa的输出谐波也较低。pa的匹配路同时要具有滤波性能。部分高集成的射频前端芯片(如2g前端模组,nbiot前端模组),要求pa的匹配滤波电路同时具有很高的谐波抑制性能,因此不需要再在pa后增加滤波器。设计一种宽带功率放大器,山东U段射频功率放大器电话多少,在功率频率范围内实现一致且良好的性能,成为宽带pa的设计的重点和难点,山东U段射频功率放大器电话多少,山东U段射频功率放大器电话多少。微波固态功率放大器通常安装在一个腔体内,由于频率高,往往容易产生寄 生藕合与干扰。山东U段射频功率放大器电话多少
处理器308即处理器,用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。输入单元403可用于接收输入的数字或字符信息,以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。具体地,在一个具体的实施例中,输入单元403可包括触敏表面以及其他输入设备。触敏表面,也称为触摸显示屏或者触控板,可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触敏表面上或在触敏表面附近的操作),并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的,触敏表面可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中,触摸检测装置检测用户的触摸方位,并检测触摸操作带来的信号,将信号传送给触摸控制器;触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给处理器408,并能接收处理器408发来的命令并加以执行。此外,可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触敏表面。除了触敏表面,输入单元403还可以包括其他输入设备。具体地,其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。山东高频射频功率放大器电话多少微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。
使射频功率放大器电路实现负增益模式。可见,通过微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏级电流、第三mos管和第五mos管的门级电压,进而可调节驱动放大电路和功率放大电路的放大倍数,从而实现对射频功率放大器电路的增益的线性调节。根据上述实施例可知,若需要使射频功率放大器电路为非负增益模式,需要微控制器控制开关关断,控制第二开关关断,控制偏置电路使第二mos管的漏级电流和第三mos管的栅级电压均变大,控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流和第五mos管的栅级电压均变大。其中,第二开关关断时,反馈电路的放大系数af较大,有助于输入信号的放大,偏置电路和第二偏置电路中漏极电流、门极电压、漏级供电电压较大,也有助于输入信号的放大,开关关断,则可控衰减电路被隔离开,对输入信号的影响较小,通过这样的控制,可以实现输入信号的放大。当射频功率放大器电路的输出功率(较大)确定后,微处理器可以进一步得到其输入功率和增益值,微处理器对输入功率进行调节,控制电压信号vgg,使开关关断,控制第二开关关断,通过控制偏置电路和第二偏置电路中的内部电流源和内部电压源,并对漏级供电电压vcc进行控制,从而使偏置电路中漏级电流、栅级电压变小。
第四mos管的漏级与第五mos管的源级连接,第四mos管的源级接地,第五mos管的栅级连接第九电容的端,第九电容的第二端接地。其中,第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一样,第二mos管t2与第四mos管t4的器件尺寸之比为2:5。在一个可能的示例中,输出匹配电路106包括:第四电感l4、第五电感l5、第十电容c10和第十一电容c11,其中:第四电感的端和第五电感的端连接第五mos管的漏级,第四电感的第二端连接第二电压信号,第十电容的端连接第二电压信号,第十电容的第二端接地,第五电感的第二端连接第十一电容的端,第十一电容的第二端接地,第十一电容两端的电压为输出电压。在一个可能的示例中,射频功率放大器电路还包括:偏置电路,用于响应于微处理器发出的第三控制信号,增加自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应于第四控制信号,降低自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;第二偏置电路,用于响应于微处理器发出的第五控制信号,增加自身的漏级电流和自身的栅级电压,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应于第六控制信号,降低自身的漏级电流和自身的栅级电压。微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量,输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。
gate)电压偏置电路由内部电压源vg、r8、r9和c13按照图7所示连接而成。r8、r9和c13组成的t型网络,起到隔离t3栅极较弱射频电压摆幅的作用。在实际模拟电路中设计电压源,可将vg电压分成多个档位,通过数字寄存器(属于微控制器)控制切换vg档位,达到t3栅极电压切换的效果。其中,t4和t5组成的叠管结构,与t2和t3组成的叠管结构,是一样的。t2和t3和器件尺寸一样,t4和t5和器件尺寸一样。t2(t3):t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的关系。比如:t2和t3的mos管的沟道宽度为2mm左右,t4和t5的mos管的沟道宽度为5mm。则在非负增益模式下:vcc=,t2的偏置电流ib=12ma左右,t4的偏置电流ib=45ma左右,t3管和t5管的vg=。在负增益模式下:vcc=,t2的偏置电流ib=2ma左右;t4的偏置电流ib=6ma左右;t3管和t5管的vg=。在本申请文件实施例提供的射频功率放大器电路中,为了说明输入匹配的可控衰减电路设计,对级间匹配电路进行了简化处理,实际的级间匹配电路是一个较为复杂的lccl网络。级间匹配电路中的c7的电容数值较大,c7使r6在射频频率上并联接地。需要注意的是,在本申请实施例中,匹配这个概念针对的是射频信号,c7表示射频的短路,可在射频等效电路中省去。此外。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。陕西使用射频功率放大器供应商
匹配电路是放大器设计中关键一环,可以说放大设计主要是匹配设计。山东U段射频功率放大器电话多少
因为这些特性,GaAs器件被应用在无线通信、卫星通讯、微波通信、雷达系统等领域,能够在更高的频率下工作,高达Ku波段。与LDMOS相比,击穿电压较低。通常由12V电源供电,由于电源电压较低,使得器件阻抗较低,因此使得宽带功率放大器的设计变得比较困难。GaAsMESFET是电磁兼容微波功率放大器设计的常用选择,在80MHz到6GHz的频率范围内的放大器中被采用。GaAs赝晶高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)GaAspHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管(PMODFET),具有更高的电子面密度(约高2倍);同时,这里的电子迁移率也较高(比GaAs中的高9%),因此PHEMT的性能更加优越。PHEMT具有双异质结的结构,这不提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性,使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。采用这种材料可以实现频率达40GHz,功率达几W的功率放大器。在EMC领域,采用此种材料可以实现,功率达200W的功率放大器。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)氮化镓(GaN)HEMT是新一代的射频功率晶体管技术,与GaAs和Si基半导体技术相比。山东U段射频功率放大器电话多少
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