使射频功率放大器电路实现负增益模式。可见,通过微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏级电流、第三mos管和第五mos管的门级电压,进而可调节驱动放大电路和功率放大电路的放大倍数,从而实现对射频功率放大器电路的增益的线性调节。根据上述实施例可知,若需要使射频功率放大器电路为非负增益模式,需要微控制器控制开关关断,控制第二开关关断,控制偏置电路使第二mos管的漏级电流和第三mos管的栅级电压均变大,控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流和第五mos管的栅级电压均变大。其中,第二开关关断时,反馈电路的放大系数af较大,有助于输入信号的放大,偏置电路和第二偏置电路中漏极电流、门极电压、漏级供电电压较大,也有助于输入信号的放大,开关关断,则可控衰减电路被隔离开,对输入信号的影响较小,通过这样的控制,可以实现输入信号的放大。当射频功率放大器电路的输出功率(较大)确定后,微处理器可以进一步得到其输入功率和增益值,微处理器对输入功率进行调节,控制电压信号vgg,使开关关断,控制第二开关关断,通过控制偏置电路和第二偏置电路中的内部电流源和内部电压源,并对漏级供电电压vcc进行控制,四川现代化射频功率放大器值得推荐,从而使偏置电路中漏级电流,四川现代化射频功率放大器值得推荐,四川现代化射频功率放大器值得推荐、栅级电压变小。由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。四川现代化射频功率放大器值得推荐
处理器308即处理器,用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。输入单元403可用于接收输入的数字或字符信息,以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。具体地,在一个具体的实施例中,输入单元403可包括触敏表面以及其他输入设备。触敏表面,也称为触摸显示屏或者触控板,可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触敏表面上或在触敏表面附近的操作),并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的,触敏表面可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中,触摸检测装置检测用户的触摸方位,并检测触摸操作带来的信号,将信号传送给触摸控制器;触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给处理器408,并能接收处理器408发来的命令并加以执行。此外,可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触敏表面。除了触敏表面,输入单元403还可以包括其他输入设备。具体地,其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。天津L波段射频功率放大器检测技术功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。
vgs是指栅源电压,vth是指阈值电压。开关关断的寄生电容:coff=fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积,单位为fs(飞秒)。另,w/l较大,发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加,相对单sw,能在esd大电流下保护sw的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计,两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的:(1)非负增益模式下,sw1和sw2同时关断;(2)负增益模式下,sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5a所示,图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路,可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置,这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围,输出功率才能实现所需的效率,增益等性能。可控衰减电路的并联到地支路的sw1和r1,在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下,这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁,输入端口匹配良好,因此输入端的回波损耗好。
第二端接地。可选的,所述子滤波电路包括:电容;所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地。可选的,所述子滤波电路还包括:电感;所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的,所述第二子滤波电路包括:第二电容;所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接,第二端接地。可选的,所述第二子滤波电路还包括:第二电感;所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路还包括:寄生电容;所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路包括第三子滤波电路;所述第三子滤波电路的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路包括:第三电容;所述第三电容的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路还包括:第三电感;所述第三电感串联在所述第三电容的第二端与地之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路还包括第四子滤波电路;所述第四子匹配滤波电路的端与所述主次级线圈的第二端耦接。在通信和雷达系统率放大器是极其重要的组成部分主要参数有最大输出功率、效率、线性度和增益等。
射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值;检测到射频功率放大器开启时,其匹配电阻生效,射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接,将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端;匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接,直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中,射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器,计算出射频功率放大器的电阻值后,可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块,在移动终端进行频段切换时,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。每个射频功率放大器对应连接一个射频功率放大器检测模块。其中,设置一个计算电阻r0,计算电阻r0的一端与电源电压vdd相连,计算电阻r0的另一端与射频功率放大器的一端相连,多个射频功率放大器并联,射频功率放大器的另一端与接地端相连,计算电阻r0与射频功率放大器的连接之间设置处理器。其中。输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。四川现代化射频功率放大器值得推荐
微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。四川现代化射频功率放大器值得推荐
1.射频微波功率放大器及其应用放大器是用来以更大的功率、更大的电流,更大的电压再现信号的部件。在信号处理过程中不可或缺的放大器,既可以做成用在助听器里的微晶片,也可以做成像多层建筑那么大以便向水下潜艇或外层空间传输无线电信号。功率放大器可以被认为是将直流(DC)输入转换成射频和微波能量的电路。不是在电磁兼容领域需要在射频和微波频率上产生足够的功率,在无线通信、雷达和雷达干扰,医疗功率发射机和高能成像系统等领域都需要,每种应用领域都有它对频率、带宽、负载、功率、效率和成本的独特要求。射频和微波功率可以利用不同的技术和不同的器件来产生。本文着重介绍在EMC应用中普遍使用的固态射频功率放大器技术,这种固态放大器的频率可以达到6GHz甚至更高,采用了A类,AB类、B类或C类放大器的拓扑结构。2.射频微波功率晶体管概述随着半导体技术的不断进步,可用于RF功率放大器的器件和种类越来越多。各种封装器件被普遍采用,图1显示了一个典型的盖子被移除的晶体管。这是一个大功率为60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶体管,适合推挽式的AB类放大器使用。四川现代化射频功率放大器值得推荐
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