计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器,所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。本方案在当移动终端切换射频频段启动射频功率放大器时,能够通过对射频功率放大器的状态检测,快速设置各个射频功率放大器从而提升射频的频段切换的速度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,四川大功率射频功率放大器技术,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,四川大功率射频功率放大器技术,四川大功率射频功率放大器技术,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法的流程示意图;图2为本申请实施例提供的一种射频功率放大器检测电路的连接示意图;图3是本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测装置的结构示意图;图4是本申请实施例提供的移动终端的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。功率放大器的放大原理主要是将电源的直流功率转化成交流信号功率输出。四川大功率射频功率放大器技术
对于各个电路和具体的增益控制方法的介绍,可参见前面的实施例的描述,此处不再详述。应理解,说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外,这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解,在本申请的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号为了描述,不实施例的优劣。需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的电路中还存在另外的相同要素。以上所述,为本申请的实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此。湖北使用射频功率放大器系列微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。
第二端接地。可选的,所述子滤波电路包括:电容;所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地。可选的,所述子滤波电路还包括:电感;所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的,所述第二子滤波电路包括:第二电容;所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接,第二端接地。可选的,所述第二子滤波电路还包括:第二电感;所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路还包括:寄生电容;所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路包括第三子滤波电路;所述第三子滤波电路的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路包括:第三电容;所述第三电容的端与所述辅次级线圈的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述第三子滤波电路还包括:第三电感;所述第三电感串联在所述第三电容的第二端与地之间。可选的,所述输出端匹配滤波电路还包括第四子滤波电路;所述第四子匹配滤波电路的端与所述主次级线圈的第二端耦接。
4G/5G基础设施用RF半导体的市场规模将达到16亿美元,其中,MIMOPA年复合增长率将达到135%,射频前端模块的年复合增长率将达到119%。预计未来5~10年,GaN将成为3W及以上RF功率应用的主流技术。根据Yole预测,2017年,全球GaN射频市场规模约为,在3W以上(不含手机PA)的RF射频市场的渗透率超过20%。GaN在基站、雷达和航空应用中,正逐步取代LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长,GaN在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中,针对载波聚合和大规模输入输出(MIMO)等新技术,GaN将凭借其高效率和高宽带性能,相比现有的LDMOS处于更有利的位置。未来5~10年内,预计GaN将逐步取代LDMOS,并逐渐成为3W及以上RF功率应用的主流技术。而GaAs将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比,将确保其稳定的市场份额。LDMOS的市场份额则会逐步下降,预测期内将降至整体市场规模的15%左右。到2023年,GaNRF器件市场规模达到13亿美元,约占3W以上的RF功率市场的45%。截止2018年底,整个RFGaN市场规模接近。未来大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件,无线基础设施应用占比将进一步提高至近43%。RFGaN市场的发展方向GaN技术主要以IDM为主。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。
射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态,由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302,用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,移动终端进行频段切换时,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。其中,计算单元还包括计算电阻和处理器,计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接,计算电阻另一端与电源电压连接;处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器检测模块连接。(3)比较单元303比较单元303,用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如,将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较,可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端频段切换时的射频功率放大器的电阻值。其中,射频功率放大器检测模块与配置状态的电阻值不相同,则表示射频功率放大器还没有开启,移动终端开启此射频功率放大器。AB类功率放大器在一个周期的50%和loo%的某段时间内导通这 取决所选择的偏置大小效率和线性度介于A和B类。湖北使用射频功率放大器系列
在通信和雷达系统率放大器是极其重要的组成部分主要参数有最大输出功率、效率、线性度和增益等。四川大功率射频功率放大器技术
每个主体电路中的功率放大器包括2个共源共栅放大器;在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端,功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端;在主体电路,功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第三变压器的原边;在第二主体电路,功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。可选的,变压器的原边和第二变压器的原边之间还连接有电容,变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接偏置电压,偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压;激励放大器栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。可选的,第三变压器的副边和第四变压器的副边之间还连接有电容,第三变压器原边的中端和第四变压器原边的中端分别通过电感连接电源电压、以及连接接地电容。本申请技术方案,至少包括如下优点:通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器源共栅放大器的栅极偏置电压,提高了射频功率放大器的线性度。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案。四川大功率射频功率放大器技术
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