河南Mitsubishi三菱IGBT模块工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    本发明涉及驱动电路技术领域，具体为一种igbt驱动电路。背景技术：驱动电路位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。驱动电路的作用：将控制电路输出的pwm脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。现今市场上的igbt驱动电路多采用16v～18v的电压驱动，而在相同的饱和压降vce的情况下，igbt的驱动电压vge越高，集电极电流ic越大，所以在过高的电压下，igbt在工作时会产生较大的峰值电流，从而会使igbt的功耗较大，容易损坏。现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种igbt驱动电路，以解决上述背景技术中提出的现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗的问题。

    所述第二屏蔽多晶硅和对应的所述沟槽的底部表面和侧面之间通过第二屏蔽介质层隔离。被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成沟道。由一导电类型重掺杂的发射区形成在所述多晶硅栅两侧的所述阱区的表面。所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属栅极，所述接触孔穿过层间膜。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到由正面金属层组成的金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔，所述源极接触孔还和穿过所述发射区和所述阱区接触。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。在所述集电区的底部表面形成有由背面金属层组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽的步进，从而降低igbt器件的输入电容(cies)、输出电容(coes)和逆导电容(cres)，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层减少器件的饱和压降。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成。

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