以及然后b)获得电压的指数函数，其中该函数通过两个点或者在多于两个点的情况下则靠近点。然后，饱和电流密度是指数函数针对零电压的值。在步骤a)期间，特性的每个点的电压值被测量，使得它基本上不包括例如在1mv内的、二极管的寄生接入电阻的电压降。每个点的电流密度对应于流过二极管的电流值除以俯视图中沟槽之间的表面积。在步骤b)中，推荐地通过将电流密度的对数与指数函数的对数之间的差的平方和小化来确定指数函数。当二极管被反向偏置时，由区域306通过层308引起的静电影响使得能够限制沟道区域和漏极区域中的电场(即，相对于区域306和层308不在那里的情况下的电场，减小了该电场)。这限制了二极管中的漏电流。此外，这使得能够在漏极区域的给定掺杂水平下增加雪崩电压以及/或者在给定雪崩电压下增加漏极区域的掺杂水平。增加漏极区域的掺杂水平的优点在于，当该掺杂水平高时，二极管的电导率更大，并且当电流在正向方向上流动时，二极管中的电压降因此受到限制。作为示例，漏极区域具有的掺杂水平在从。沟道区域具有的掺杂水平例如在从。此外，沟槽被分离的距离例如在从μm到μm的范围内)。在沟道区域的较低水平下。
二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。
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