中国台湾进口英飞凌可控硅 江苏芯钻时代电子科技供应

    再用短路线将G与T1（或T2）短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分（其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向（在不同极性的触发电压证）均能触发导通。方法三：检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R&TImes;10k档（V电压），对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2（b）连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。双向可控硅触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰。

    伏安特性类似二极管的反向特性可控硅的门极触发电流从门极流入可控硅，从阴极流出阴极是可控硅主电路与控制电路的公共端门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的可控硅的门极和阴极之间是PN结J3，其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。15.可控硅特性1)开通过程延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。开通时间tgt：以上两者之和，tgt=td+tr2)关断过程反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至近于零的时间正向阻断恢复时间tgr：可控硅要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间在正向阻断恢复时间内如果重新对可控硅施加正向电压，可控硅会重新正向导通。实际应用中，应对可控硅施加足够长时间的反向电压，使可控硅充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作关断时间tq：trr与tgr之和，即tq=trr+tgr普通可控硅的关断时间约几百微秒，这是设计反向电压设计时间的依据。16.维持电流与IL擎住电流区别维持电流IH是从导通状态转变到阻断状态时。

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