这样能降低栅电容，增强器件短路电流的能力，提高器件的抗冲击能力。3、本发明一实施例还设置了电荷存储层14，电荷存储层14结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区9注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。本发明第二实施例igbt器件：如图2所示，是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图，本发明第二实施例igbt器件包括：本发明第二实施例器件和本发明一实施例器件的区别之处为，本发明第二实施例器件中，在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔11a呈结构。本发明一实施例方法：如图3a至图3g所示，是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、如图3a所示，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区1。所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。步骤二、如图3a所示，在所述半导体衬底中形成多个沟槽101。
2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时，一个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩。
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