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    这样能降低栅电容，增强器件短路电流的能力，提高器件的抗冲击能力。3、本发明一实施例还设置了电荷存储层14，电荷存储层14结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区9注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。本发明第二实施例igbt器件：如图2所示，是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图，本发明第二实施例igbt器件包括：本发明第二实施例器件和本发明一实施例器件的区别之处为，本发明第二实施例器件中，在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔11a呈结构。本发明一实施例方法：如图3a至图3g所示，是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、如图3a所示，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区1。所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。步骤二、如图3a所示，在所述半导体衬底中形成多个沟槽101。

    步骤十一、在所述集电区的底部表面形成由背面金属层组成的金属集电极。通过形成于所述栅极结构两侧的具有沟槽式结构的所述第二屏蔽电极结构降低igbt器件的沟槽的步进，从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；通过将所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金属源极短接提高器件的短路电流能力；通过所述电荷存储层减少器件的饱和压降。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区形成于所述漂移区表面的所述硅外延层中。进一步的改进是，令各所述第二屏蔽多晶硅顶部对应的接触孔为屏蔽接触孔。在各所述单元结构中，所述源极接触孔和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔呈结构。或者，在各所述单元结构中，所述源极接触孔和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。进一步的改进是，一个所述单元结构中包括5个所述沟槽，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。进一步的改进是，所述沟槽的步进为1微米～3微米。进一步的改进是，步骤十中。

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